達(dá)安光電
江蘇達(dá)安光電有限公司
存續(xù)商標(biāo)信息1
序號 | 商標(biāo)名稱 | 國際分類 | 注冊號 | 狀態(tài) | 申請日期 | 操作 |
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1 | DAAN OPTOELETRONICS | 09類-科學(xué)儀器 | 33588867 | 等待實質(zhì)審查 | 2018-09-18 | 查看 |
專利信息7
序號 | 專利名稱 | 專利類型 | 申請?zhí)?/th> | 公開(公告)號 | 公布日期 |
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1 | 具有高反射歐姆接觸電極的短波紫外LED芯片制造方法 | 發(fā)明專利 | CN201610472516.5 | CN106025020B | 2019-01-11 |
2 | 一種短波紫外發(fā)光芯片的制造方法 | 發(fā)明專利 | CN201711172867.5 | CN107910415A | 2018-04-13 |
3 | 一種半導(dǎo)體圖形襯底的制造及外延的方法 | 發(fā)明專利 | CN201710890136.8 | CN107731660A | 2018-02-23 |
4 | 一種半導(dǎo)體外延用的柔性復(fù)合襯底及制造方法 | 發(fā)明專利 | CN201710890140.4 | CN107680901B | 2018-02-09 |
5 | 一種半導(dǎo)體外延用的柔性復(fù)合襯底及制造方法 | 發(fā)明專利 | CN201710890140.4 | CN107680901A | 2018-02-09 |
6 | 半導(dǎo)體芯片的制造方法 | 發(fā)明專利 | CN201610897956.5 | CN106373869A | 2017-02-01 |
7 | 具有高反射歐姆接觸電極的短波紫外LED芯片制造方法 | 發(fā)明專利 | CN201610472516.5 | CN106025020A | 2016-10-12 |
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