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    蘇州本然微電子有限公司

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    • 地址：蘇州工業(yè)園區(qū)星湖街328號創(chuàng)意產(chǎn)業(yè)園4-B403單元
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    • 專利信息 9
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    • 作品著作權(quán) 0
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    商標(biāo)信息0

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    專利信息9

    序號 專利名稱 專利類型 申請?zhí)?/th> 公開（公告）號 公布日期
    1 用于射頻微波功放器件的封裝結(jié)構(gòu) 實用新型 CN201821249020.2 CN208690239U 2019-04-02
    2 用于射頻微波功放器件的封裝結(jié)構(gòu) 發(fā)明專利 CN201810879851.6 CN108807293A 2018-11-13
    3 一種用于GaN HEMT芯片生產(chǎn)中通孔的刻蝕方法 發(fā)明專利 CN201710075356.5 CN106910711A 2017-06-30
    4 一種新型柵結(jié)構(gòu)的GaN基HEMT器件 實用新型 CN201620846582.X CN205920974U 2017-02-01
    5 一種新型柵結(jié)構(gòu)的GaN基HEMT器件 發(fā)明專利 CN201610638795.8 CN106098770A 2016-11-09
    6 一種低噪音全自動增益控制高電源抑制晶體振蕩器 發(fā)明專利 CN201110176994.9 CN102857174B 2014-12-31
    7 一種溫度補償式晶體振蕩器及其通訊方法 發(fā)明專利 CN201110078899.5 CN102130680B 2013-05-08
    8 一種低噪音全自動增益控制高電源抑制晶體振蕩器 發(fā)明專利 CN201110176994.9 CN102857174A 2013-01-02
    9 一種溫度補償式晶體振蕩器及其通訊方法 發(fā)明專利 CN201110078899.5 CN102130680A 2011-07-20

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