立而鼎
商標信息0
專利信息16
序號 | 專利名稱 | 專利類型 | 申請?zhí)?/th> | 公開(公告)號 | 公布日期 |
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1 | 一種用于NAND Flash不良區(qū)塊的查找方法、固態(tài)硬盤 | 發(fā)明專利 | CN201710557810.0 | CN109243517A | 2019-01-18 |
2 | 一種固態(tài)硬盤的內(nèi)存轉(zhuǎn)換層對映架構(gòu)及方法 | 發(fā)明專利 | CN201710262947.3 | CN108733576A | 2018-11-02 |
3 | 一種斷電重啟后邏輯對物理映像表的重建方法、固態(tài)硬盤 | 發(fā)明專利 | CN201710262450.1 | CN108733575A | 2018-11-02 |
4 | 一種TLC NAND FLASH固態(tài)硬盤的寫入方法 | 發(fā)明專利 | CN201710262449.9 | CN108733318A | 2018-11-02 |
5 | 一種固態(tài)硬盤寫入指令排序方法、固態(tài)硬盤 | 發(fā)明專利 | CN201710262451.6 | CN108572790A | 2018-09-25 |
6 | 一種NAND FLASH的數(shù)據(jù)源區(qū)塊回收方法及固態(tài)硬盤 | 發(fā)明專利 | CN201710109206.1 | CN108509349A | 2018-09-07 |
7 | 分時緩沖器存取系統(tǒng)及存儲器控制器 | 發(fā)明專利 | CN201310108846.2 | CN103927125B | 2017-08-11 |
8 | 頻率產(chǎn)生器及產(chǎn)生頻率信號的方法 | 發(fā)明專利 | CN201210023480.4 | CN103138754B | 2016-07-20 |
9 | 多位單元非易失性內(nèi)存的寫入方法 | 發(fā)明專利 | CN201110100266.X | CN102693754B | 2015-03-25 |
10 | 多位元單元非揮發(fā)性存儲器的使用新順序的二次寫入方法 | 發(fā)明專利 | CN201010236601.4 | CN102314947B | 2014-11-12 |
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