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    立而鼎科技(深圳)有限公司

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    專利信息16

    序號 專利名稱 專利類型 申請?zhí)?/th> 公開(公告)號 公布日期
    1 一種用于NAND Flash不良區(qū)塊的查找方法、固態(tài)硬盤 發(fā)明專利 CN201710557810.0 CN109243517A 2019-01-18
    2 一種固態(tài)硬盤的內(nèi)存轉(zhuǎn)換層對映架構(gòu)及方法 發(fā)明專利 CN201710262947.3 CN108733576A 2018-11-02
    3 一種斷電重啟后邏輯對物理映像表的重建方法、固態(tài)硬盤 發(fā)明專利 CN201710262450.1 CN108733575A 2018-11-02
    4 一種TLC NAND FLASH固態(tài)硬盤的寫入方法 發(fā)明專利 CN201710262449.9 CN108733318A 2018-11-02
    5 一種固態(tài)硬盤寫入指令排序方法、固態(tài)硬盤 發(fā)明專利 CN201710262451.6 CN108572790A 2018-09-25
    6 一種NAND FLASH的數(shù)據(jù)源區(qū)塊回收方法及固態(tài)硬盤 發(fā)明專利 CN201710109206.1 CN108509349A 2018-09-07
    7 分時緩沖器存取系統(tǒng)及存儲器控制器 發(fā)明專利 CN201310108846.2 CN103927125B 2017-08-11
    8 頻率產(chǎn)生器及產(chǎn)生頻率信號的方法 發(fā)明專利 CN201210023480.4 CN103138754B 2016-07-20
    9 多位單元非易失性內(nèi)存的寫入方法 發(fā)明專利 CN201110100266.X CN102693754B 2015-03-25
    10 多位元單元非揮發(fā)性存儲器的使用新順序的二次寫入方法 發(fā)明專利 CN201010236601.4 CN102314947B 2014-11-12

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