格瑞寶
江蘇格瑞寶電子有限公司
存續(xù)商標信息0
專利信息3
序號 | 專利名稱 | 專利類型 | 申請?zhí)?/th> | 公開(公告)號 | 公布日期 |
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1 | 金屬層作為源區(qū)的P型MOSFET結構及其制備方法 | 發(fā)明專利 | CN202111091024.9 | CN113793873A | 2021-12-14 |
2 | 一種解決SGT-MOSFET場氧化層橫向過腐問題的制備方法 | 發(fā)明專利 | CN202110900637.6 | CN113782433A | 2021-12-10 |
3 | 一種解決SGT-MOSFET柵極多晶硅刻蝕穿通的工藝方法 | 發(fā)明專利 | CN202110900618.3 | CN113690143A | 2021-11-23 |
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