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    • 超硅

    上海超硅半導(dǎo)體股份有限公司

    存續(xù)
    • 地址：上海市松江區(qū)鼎松路150弄1-15號(hào)（一照多址企業(yè)）
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    • 商標(biāo)信息 5
    • 專利信息 174
    • 軟件著作權(quán) 0
    • 作品著作權(quán) 0
    • 網(wǎng)站備案 2

    商標(biāo)信息5

    序號(hào) 商標(biāo)名稱 國(guó)際分類 注冊(cè)號(hào) 狀態(tài) 申請(qǐng)日期 操作
    1 - 11類-燈具空調(diào) 58057124 商標(biāo)申請(qǐng)中 2021-07-28 查看
    2 - 01類-化學(xué)原料 58054397 商標(biāo)申請(qǐng)中 2021-07-28 查看
    3 AST 07類-機(jī)械設(shè)備 58051428 商標(biāo)申請(qǐng)中 2021-07-28 查看
    4 - 09類-科學(xué)儀器 58033500 商標(biāo)申請(qǐng)中 2021-07-28 查看
    5 AST 09類-科學(xué)儀器 11642920 商標(biāo)已注冊(cè) 2012-10-23 查看

    專利信息174

    序號(hào) 專利名稱 專利類型 申請(qǐng)?zhí)?/th> 公開（公告）號(hào) 公布日期
    1 一種集成電路用硅片無(wú)損傷轉(zhuǎn)移方法 發(fā)明專利 CN202010258603.7 CN113496930A 2021-10-12
    2 一種集成電路硅片表面氧化膜自適應(yīng)均勻腐蝕方法 發(fā)明專利 CN202010258262.3 CN113496891A 2021-10-12
    3 一種集成電路用硅片的均勻腐蝕方法 發(fā)明專利 CN202010258298.1 CN113496887A 2021-10-12
    4 一種集成電路用單晶硅片堿腐蝕去除量的控制方法 發(fā)明專利 CN202010258257.2 CN113496886A 2021-10-12
    5 一種外延基底用硅晶片之背面膜層及制造方法 發(fā)明專利 CN202010258596.0 CN113496871A 2021-10-12
    6 一種集成電路用硅片邊緣形貌控制方法 發(fā)明專利 CN202010258530.1 CN113496870A 2021-10-12
    7 一種外延基底用硅晶片之背面膜層及制造方法 發(fā)明專利 CN202010258297.7 CN113496869A 2021-10-12
    8 一種硅片的拋光后清洗方法 發(fā)明專利 CN202010258268.0 CN113496868A 2021-10-12
    9 硅片金屬雜質(zhì)檢測(cè)樣品保護(hù)裝置及硅片金屬雜質(zhì)檢測(cè)方法 發(fā)明專利 CN202010258528.4 CN113495095A 2021-10-12
    10 一種減少拋光片表面劃痕方法 發(fā)明專利 CN202010258285.4 CN113492399A 2021-10-12

    軟件著作權(quán)0

    暫無(wú)信息 暫無(wú)軟件著作權(quán)

    作品著作權(quán)0

    暫無(wú)信息 暫無(wú)作品著作權(quán)

    網(wǎng)站備案2

    序號(hào) 網(wǎng)站名 網(wǎng)址 備案號(hào) 主辦單位性質(zhì) 審核日期
    1 上海超硅半導(dǎo)體有限公司 www.ast.com.cn 滬ICP備19043125號(hào) 企業(yè) 2021-02-20
    2 上海超硅半導(dǎo)體有限公司 www.ast.com.cn 滬ICP備19043125號(hào) 企業(yè) 2021-02-20
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