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    • 鼎泰芯源

    珠海鼎泰芯源晶體有限公司

    開業(yè)
    • 地址：珠海市高新區(qū)金鼎工業(yè)片區(qū)金園一路6號8棟廠房
    • 簡介：-
    • 商標(biāo)信息 4
    • 專利信息 66
    • 軟件著作權(quán) 0
    • 作品著作權(quán) 0
    • 網(wǎng)站備案 0

    商標(biāo)信息4

    序號 商標(biāo)名稱 國際分類 注冊號 狀態(tài) 申請日期 操作
    1 鼎泰芯源 - 26876894 商標(biāo)已注冊 2017-10-13 查看
    2 DT-CRYSTAL - 26872405 商標(biāo)已注冊 2017-10-13 查看
    3 圖形 - 26871639 商標(biāo)已注冊 2017-10-13 查看
    4 鼎泰芯源 - 26859404 商標(biāo)已注冊 2017-10-13 查看

    專利信息66

    序號 專利名稱 專利類型 申請?zhí)?/th> 公開（公告）號 公布日期
    1 一種磷化銦晶片的清洗方法 發(fā)明專利 CN202110994873.9 CN113690128A 2021-11-23
    2 一種基于VGF法的氣相摻雜的晶體生長方法 發(fā)明專利 CN201911405446.1 CN111041550B 2021-10-12
    3 一種低濃度P型磷化銦單晶的制備方法 發(fā)明專利 CN201811652934.8 CN109629003B 2021-05-28
    4 對VGF法生產(chǎn)的InP晶錠進(jìn)行籽晶、引晶及結(jié)晶情況判定的方法 發(fā)明專利 CN201811640598.5 CN109629002B 2021-03-16
    5 基于VGF法晶體生長用石英封帽以及晶體生長裝置 實(shí)用新型 CN201922459336.5 CN211620660U 2020-10-02
    6 一種晶體生長裝置 實(shí)用新型 CN201922114666.0 CN211005717U 2020-07-14
    7 一種基于VGF法的晶體生長用雙層壁坩堝 實(shí)用新型 CN201922095129.6 CN211005709U 2020-07-14
    8 一種基于VGF法的氣相摻雜的晶體生長方法 發(fā)明專利 CN201911405446.1 CN111041550A 2020-04-21
    9 基于VGF法晶體生長用石英封帽、晶體生長裝置及晶體生長工藝 發(fā)明專利 CN201911411298.4 CN110952133A 2020-04-03
    10 一種晶體生長后的退火及脫鍋方法以及晶體制備方法 發(fā)明專利 CN201911189275.3 CN110725008A 2020-01-24

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