華羿
華羿微電子股份有限公司
在業(yè)商標(biāo)信息10
序號(hào) | 商標(biāo)名稱 | 國際分類 | 注冊號(hào) | 狀態(tài) | 申請日期 | 操作 |
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1 | DYNAMOS | 09類-科學(xué)儀器 | 57561545 | 商標(biāo)申請中 | 2021-07-08 | 查看 |
2 | HY TRENCH MOS | 09類-科學(xué)儀器 | 57560086 | 商標(biāo)申請中 | 2021-07-08 | 查看 |
3 | ROBUSTFET | 09類-科學(xué)儀器 | 57557527 | 商標(biāo)申請中 | 2021-07-08 | 查看 |
4 | 圖形 | 42類-網(wǎng)站服務(wù) | 57556479 | 商標(biāo)申請中 | 2021-07-08 | 查看 |
5 | COMMON DRAIN MOS | 09類-科學(xué)儀器 | 57549310 | 商標(biāo)申請中 | 2021-07-08 | 查看 |
6 | 華羿微電 | 42類-網(wǎng)站服務(wù) | 57538191 | 等待實(shí)質(zhì)審查 | 2021-07-08 | 查看 |
7 | COMBINE NPMOS | 09類-科學(xué)儀器 | 57533475 | 等待實(shí)質(zhì)審查 | 2021-07-08 | 查看 |
8 | HYME | 09類-科學(xué)儀器 | 40261724 | 商標(biāo)已注冊 | 2019-08-09 | 查看 |
9 | 華羿微電 | 09類-科學(xué)儀器 | 40247147 | 商標(biāo)已注冊 | 2019-08-09 | 查看 |
10 | 圖形 | 09類-科學(xué)儀器 | 6898740 | 商標(biāo)已注冊 | 2008-08-14 | 查看 |
專利信息106
序號(hào) | 專利名稱 | 專利類型 | 申請?zhí)?/th> | 公開(公告)號(hào) | 公布日期 |
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1 | 一種MOSFET器件 | 實(shí)用新型 | CN202022524966.9 | CN213601874U | 2021-07-02 |
2 | 一種MOSFET器件終端 | 實(shí)用新型 | CN202022413901.7 | CN213601873U | 2021-07-02 |
3 | 一種自帶短路保護(hù)的功率MOSFET | 發(fā)明專利 | CN202011419731.1 | CN112531650A | 2021-03-19 |
4 | 一種TrenchVDMOS器件 | 實(shí)用新型 | CN202022317533.6 | CN212587515U | 2021-02-23 |
5 | 一種TrenchMOS功率器件 | 實(shí)用新型 | CN202021493617.9 | CN212587514U | 2021-02-23 |
6 | 一種TrenchMOS器件 | 實(shí)用新型 | CN202021493210.6 | CN212587513U | 2021-02-23 |
7 | 一種溝槽MOSFET器件 | 實(shí)用新型 | CN202021384299.2 | CN212587512U | 2021-02-23 |
8 | 采用多芯片堆疊結(jié)構(gòu)的功率分立器件 | 實(shí)用新型 | CN202021335170.2 | CN212587507U | 2021-02-23 |
9 | 一種MOSFET器件及制備方法 | 發(fā)明專利 | CN202011220096.4 | CN112234103A | 2021-01-15 |
10 | 一種MOSFET器件終端及制備方法 | 發(fā)明專利 | CN202011167534.5 | CN112201695A | 2021-01-08 |
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