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    • 聚能晶源

    聚能晶源（青島）半導(dǎo)體材料有限公司

    在業(yè)
    • 地址：山東省青島市即墨區(qū)服裝工業(yè)園孔雀河三路56號
    • 簡介：-
    • 商標(biāo)信息 8
    • 專利信息 4
    • 軟件著作權(quán) 0
    • 作品著作權(quán) 1
    • 網(wǎng)站備案 1

    商標(biāo)信息8

    序號 商標(biāo)名稱 國際分類 注冊號 狀態(tài) 申請日期 操作
    1 JU NENGJING YUAN - 46005502 商標(biāo)已注冊 2020-05-04 查看
    2 JU NENGJING YUAN - 46005493 商標(biāo)已注冊 2020-05-04 查看
    3 GENETTICE - 46004489 商標(biāo)已注冊 2020-05-04 查看
    4 圖形 - 46004112 商標(biāo)已注冊 2020-05-04 查看
    5 圖形 - 46004109 商標(biāo)已注冊 2020-05-04 查看
    6 GENETTICE - 46004100 商標(biāo)已注冊 2020-05-04 查看
    7 聚能晶源 - 46003619 商標(biāo)已注冊 2020-05-04 查看
    8 聚能晶源 - 46003614 商標(biāo)已注冊 2020-05-04 查看

    專利信息4

    序號 專利名稱 專利類型 申請?zhí)?/th> 公開（公告）號 公布日期
    1 GaN基HEMT器件、器件外延結(jié)構(gòu)及其制備方法 發(fā)明專利 CN202110995703.2 CN113793868A 2021-12-14
    2 增強(qiáng)型GaN基HEMT器件、器件外延及其制備方法 發(fā)明專利 CN202110995683.9 CN113782600A 2021-12-10
    3 硅-氮化鎵復(fù)合襯底、復(fù)合器件及制備方法 發(fā)明專利 CN202110313173.9 CN113130297A 2021-07-16
    4 具有p-GaN蓋帽層的HEMT器件及制備方法 發(fā)明專利 CN202110313170.5 CN113113480A 2021-07-13

    軟件著作權(quán)0

    暫無信息 暫無軟件著作權(quán)

    作品著作權(quán)1

    序號 作品名 作品類別 登記號 創(chuàng)作完成日期 首次發(fā)表日期 登記批準(zhǔn)日期
    1 聚能晶源 - 國作登字-2020-F-01103072 - 2020 2020

    網(wǎng)站備案1

    序號 網(wǎng)站名 網(wǎng)址 備案號 主辦單位性質(zhì) 審核日期
    1 - www.genettice.com 魯ICP備2021007621號 企業(yè) 2021-03-10
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