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    東莞清芯半導(dǎo)體科技有限公司

    在業(yè)
    • 地址：廣東省東莞市松山湖園區(qū)學(xué)府路1號11棟522室
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    • 商標(biāo)信息 1
    • 專利信息 20
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    • 作品著作權(quán) 0
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    商標(biāo)信息1

    序號 商標(biāo)名稱 國際分類 注冊號 狀態(tài) 申請日期 操作
    1 TSINSIC 09類-科學(xué)儀器 57075752 等待實質(zhì)審查 2021-06-21 查看

    專利信息20

    序號 專利名稱 專利類型 申請?zhí)?/th> 公開（公告）號 公布日期
    1 一種帶浮空區(qū)的低導(dǎo)通電阻雙溝槽碳化硅IGBT器件與制備方法 發(fā)明專利 CN201710781879.1 CN107731893B 2020-02-11
    2 一種帶浮空區(qū)的低導(dǎo)通電阻碳化硅IGBT器件與制備方法 發(fā)明專利 CN201710781881.9 CN107731894B 2020-02-07
    3 一種低導(dǎo)通電阻、小柵電荷的雙溝槽碳化硅IGBT器件與制備方法 發(fā)明專利 CN201710781882.3 CN107731912B 2019-10-29
    4 一種低導(dǎo)通電阻、小柵電荷的碳化硅IGBT器件與制備方法 發(fā)明專利 CN201710781811.3 CN107611022B 2019-10-29
    5 一種低導(dǎo)通電阻、小柵電荷的碳化硅超結(jié)MOSFET器件與制備方法 發(fā)明專利 CN201710781886.1 CN107731923B 2019-09-03
    6 一種含內(nèi)置浮空區(qū)的低導(dǎo)通電阻碳化硅MOSFET器件與制備方法 發(fā)明專利 CN201710781884.2 CN107623043B 2019-06-14
    7 一種低導(dǎo)通電阻、小柵電荷的碳化硅MOSFET器件與制備方法 發(fā)明專利 CN201710781876.8 CN107482062B 2019-06-04
    8 一種帶浮空區(qū)的低導(dǎo)通電阻碳化硅超結(jié)MOSFET器件與制備方法 發(fā)明專利 CN201710781878.7 CN107731922B 2019-05-21
    9 一種雙溝槽的低導(dǎo)通電阻、小柵電荷的碳化硅MOSFET器件與制備方法 發(fā)明專利 CN201710781888.0 CN107658340B 2019-05-21
    10 一種雙溝槽的帶浮空區(qū)的低導(dǎo)通電阻碳化硅MOSFET器件與制備方法 發(fā)明專利 CN201710781880.4 CN107658214B 2019-05-07

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    1 清芯半導(dǎo)體科技有限公司 www.tsinsicsemi.com 粵ICP備2020138822號 企業(yè) 2020-12-25
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