沃達(dá)科
無(wú)錫沃達(dá)科半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
存續(xù)商標(biāo)信息7
序號(hào) | 商標(biāo)名稱 | 國(guó)際分類 | 注冊(cè)號(hào) | 狀態(tài) | 申請(qǐng)日期 | 操作 |
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1 | VI VOLTAIC | 09類-科學(xué)儀器 | 50590315 | 等待駁回復(fù)審 | 2020-10-21 | 查看 |
2 | VI 沃達(dá)科半導(dǎo)體 | 09類-科學(xué)儀器 | 50590307 | 等待實(shí)質(zhì)審查 | 2020-10-21 | 查看 |
3 | 沃達(dá)科半導(dǎo)體 VOLTAIC SEMICONDUCTOR | 09類-科學(xué)儀器 | 42967714 | 商標(biāo)無(wú)效 | 2019-12-10 | 查看 |
4 | VOLTAIC SEMICONDUCTOR VI | 09類-科學(xué)儀器 | 42965019 | 等待實(shí)質(zhì)審查 | 2019-12-10 | 查看 |
5 | 圖形 | 09類-科學(xué)儀器 | 36468734 | 商標(biāo)已注冊(cè) | 2019-02-25 | 查看 |
6 | VOLTAIC | 09類-科學(xué)儀器 | 36468733 | 商標(biāo)無(wú)效 | 2019-02-25 | 查看 |
7 | 圖形 | 09類-科學(xué)儀器 | 30288472 | 初審公告 | 2018-04-17 | 查看 |
專利信息6
序號(hào) | 專利名稱 | 專利類型 | 申請(qǐng)?zhí)?/th> | 公開(公告)號(hào) | 公布日期 |
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1 | 一種MOSFET | 實(shí)用新型 | CN202120385825.5 | CN214313215U | 2021-09-28 |
2 | 一種MOSFET及其制造方法 | 發(fā)明專利 | CN202110194286.1 | CN112768531A | 2021-05-07 |
3 | 新型共漏雙MOSFET結(jié)構(gòu) | 實(shí)用新型 | CN201921374651.1 | CN210325796U | 2020-04-14 |
4 | 平面結(jié)構(gòu)溝道金氧半場(chǎng)效晶體管 | 實(shí)用新型 | CN201920963740.3 | CN210224042U | 2020-03-31 |
5 | 新型共漏雙MOSFET結(jié)構(gòu)及其形成方法 | 發(fā)明專利 | CN201910780080.X | CN110400802A | 2019-11-01 |
6 | 平面結(jié)構(gòu)溝道金氧半場(chǎng)效晶體管及其加工方法 | 發(fā)明專利 | CN201910555620.4 | CN110176500A | 2019-08-27 |
軟件著作權(quán)0
作品著作權(quán)0
網(wǎng)站備案4
序號(hào) | 網(wǎng)站名 | 網(wǎng)址 | 備案號(hào) | 主辦單位性質(zhì) | 審核日期 |
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1 | - | www.voltaic.com.cn | 蘇ICP備18051901號(hào) | 企業(yè) | 2022-03-24 |
2 | - | 218.90.150.238 | 蘇ICP備18051901號(hào) | 企業(yè) | 2022-03-24 |
3 | 無(wú)錫市沃達(dá)科半導(dǎo)體技術(shù)有限公司 | www.voltaic.com.cn | 蘇ICP備18051901號(hào) | 企業(yè) | 2020-05-13 |
4 | 沃達(dá)科半導(dǎo)體 | 218.90.150.238 | 蘇ICP備18051901號(hào) | 企業(yè) | 2020-05-13 |
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