唐晶量子
商標(biāo)信息3
專利信息4
序號 | 專利名稱 | 專利類型 | 申請?zhí)?/th> | 公開(公告)號 | 公布日期 |
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1 | 一種提高M(jìn)OCVD生長VCSEL外延膜厚均勻性的方法 | 發(fā)明專利 | CN201910836752.4 | CN110484896B | 2021-05-28 |
2 | 一種金屬襯底發(fā)光器件晶圓的分離方法 | 發(fā)明專利 | CN202010201857.5 | CN111370369A | 2020-07-03 |
3 | 一種具有電流阻擋層的氮化鎵基垂直結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管及其制作方法 | 發(fā)明專利 | CN202010201845.2 | CN111261762A | 2020-06-09 |
4 | 一種提高M(jìn)OCVD生長VCSEL外延膜厚均勻性的方法 | 發(fā)明專利 | CN201910836752.4 | CN110484896A | 2019-11-22 |
軟件著作權(quán)0
作品著作權(quán)1
序號 | 作品名 | 作品類別 | 登記號 | 創(chuàng)作完成日期 | 首次發(fā)表日期 | 登記批準(zhǔn)日期 |
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1 | 唐晶量子 | - | 國作登字-2019-F-00758304 | - | 2018 | 2019 |
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