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    專利信息7

    序號(hào) 專利名稱 專利類型 申請(qǐng)?zhí)?/th> 公開(kāi)（公告）號(hào) 公布日期
    1 共用電極的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積裝置及方法 發(fā)明專利 CN201210052028.0 CN103290392A 2013-09-11
    2 共用一個(gè)射頻源的多等離子體裝置 實(shí)用新型 CN201220074242.1 CN202488863U 2012-10-10
    3 一種納米顆粒的收集裝置 實(shí)用新型 CN201220074225.8 CN202479492U 2012-10-10
    4 利用等離子體制備硅納米顆粒的方法及裝置 發(fā)明專利 CN200910098051.1 CN101559946B 2011-01-05
    5 利用硅納米顆粒制備高純多晶硅的方法及裝置 發(fā)明專利 CN200910098050.7 CN101559945B 2010-12-08
    6 利用等離子體制備硅納米顆粒的方法及裝置 發(fā)明專利 CN200910098051.1 CN101559946A 2009-10-21
    7 利用硅納米顆粒制備高純多晶硅的方法及裝置 發(fā)明專利 CN200910098050.7 CN101559945A 2009-10-21

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