增益光電
杭州增益光電科技有限公司
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專利信息28
序號(hào) | 專利名稱 | 專利類型 | 申請(qǐng)?zhí)?/th> | 公開(kāi)(公告)號(hào) | 公布日期 |
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1 | InGaN/GaN量子阱激光器及其制作方法 | 發(fā)明專利 | CN201610945995.8 | CN106785919B | 2020-05-26 |
2 | 半導(dǎo)體激光器及其制作方法 | 發(fā)明專利 | CN201610363086.3 | CN106785912B | 2020-04-10 |
3 | InAlGaN系列合金材料的制備方法 | 發(fā)明專利 | CN201510990660.3 | CN106756875B | 2020-02-04 |
4 | 脊形陣列半導(dǎo)體激光器及其制作方法 | 發(fā)明專利 | CN201610578278.6 | CN107645121B | 2019-12-20 |
5 | 脊形半導(dǎo)體激光器及其制作方法 | 發(fā)明專利 | CN201610583933.7 | CN107645122B | 2019-09-20 |
6 | 超輻射發(fā)光二極管或激光器外延結(jié)構(gòu)及其制備方法 | 發(fā)明專利 | CN201510953170.6 | CN106898948B | 2019-05-31 |
7 | 一種氮化鎵基半導(dǎo)體激光器及其制作方法 | 發(fā)明專利 | CN201410120399.7 | CN104953467B | 2019-02-12 |
8 | 具有復(fù)合漸變量子壘結(jié)構(gòu)的氮化鎵基半導(dǎo)體器件及其制法 | 發(fā)明專利 | CN201510067685.6 | CN105990477B | 2018-08-10 |
9 | 脊形半導(dǎo)體激光器及其制作方法 | 發(fā)明專利 | CN201610583933.7 | CN107645122A | 2018-01-30 |
10 | 脊形陣列半導(dǎo)體激光器及其制作方法 | 發(fā)明專利 | CN201610578278.6 | CN107645121A | 2018-01-30 |
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