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    • 佳恩功率

    深圳佳恩功率半導(dǎo)體有限公司

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    • 地址：深圳市寶安區(qū)西鄉(xiāng)街道固興社區(qū)駿翔U8智造產(chǎn)業(yè)園U6.7棟216
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    • 作品著作權(quán) 0
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    專利信息9

    序號 專利名稱 專利類型 申請?zhí)?/th> 公開（公告）號 公布日期
    1 一種降低反向漏電的器件終端結(jié)構(gòu) 實用新型 CN202120075513.4 CN214800129U 2021-11-19
    2 一種含P型孤島的器件結(jié)構(gòu) 實用新型 CN202120093935.4 CN214625019U 2021-11-05
    3 一種提高VDMOS抗雷擊浪涌能力的結(jié)構(gòu) 實用新型 CN202120094572.6 CN214204926U 2021-09-14
    4 一種降低VDMOS開關(guān)時間的器件結(jié)構(gòu) 實用新型 CN202120077275.0 CN213878105U 2021-08-03
    5 一種含有ESD保護結(jié)構(gòu)的VDMOS器件 實用新型 CN202120066830.X CN213878104U 2021-08-03
    6 一種多層外延超結(jié)結(jié)構(gòu)VDMOS的結(jié)構(gòu) 實用新型 CN202120066156.5 CN213878103U 2021-08-03
    7 一種降低JFET區(qū)和積累區(qū)電阻的VDMOS結(jié)構(gòu) 實用新型 CN202120066155.0 CN213878102U 2021-08-03
    8 一種多層外延超結(jié)結(jié)構(gòu)VDMOS的結(jié)構(gòu)及其方法 發(fā)明專利 CN202110033982.4 CN112614895A 2021-04-06
    9 一種降低JFET區(qū)和積累區(qū)電阻的VDMOS結(jié)構(gòu)及方法 發(fā)明專利 CN202110033959.5 CN112614894A 2021-04-06

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