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    • 溢泰半

    大慶溢泰半導(dǎo)體材料有限公司

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    專利信息19

    序號(hào) 專利名稱 專利類型 申請(qǐng)?zhí)?/th> 公開(kāi)（公告）號(hào) 公布日期
    1 晶體制備壓力容器的壓力控制裝置 實(shí)用新型 CN202121603974.0 CN214896343U 2021-11-26
    2 一種生長(zhǎng)半絕緣砷化鎵單晶的摻碳裝置 實(shí)用新型 CN202120631538.8 CN214529324U 2021-10-29
    3 晶體制備壓力容器的壓力控制系統(tǒng) 發(fā)明專利 CN202110798426.6 CN113502545A 2021-10-15
    4 一種半導(dǎo)體材料的單晶生長(zhǎng)裝置 實(shí)用新型 CN202120255112.7 CN214244664U 2021-09-21
    5 一種生長(zhǎng)半絕緣砷化鎵單晶的摻碳裝置及摻碳方法 發(fā)明專利 CN202110330282.1 CN113136616A 2021-07-20
    6 一種半導(dǎo)體化合物材料的單晶生長(zhǎng)工藝設(shè)備 發(fā)明專利 CN202110213776.1 CN113026089A 2021-06-25
    7 一種高純鎵用的儲(chǔ)存運(yùn)輸機(jī)構(gòu) 實(shí)用新型 CN202020484945.6 CN212606750U 2021-02-26
    8 一種磷化銦生產(chǎn)廢水的處理裝置 實(shí)用新型 CN202020297597.1 CN212292855U 2021-01-05
    9 一種用于制備磷化銦單晶的高壓爐 實(shí)用新型 CN202020297577.4 CN212270279U 2021-01-01
    10 一種高純砷用的提純裝置 實(shí)用新型 CN202020484955.X CN212102964U 2020-12-08

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