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    專利信息8

    序號 專利名稱 專利類型 申請?zhí)?/th> 公開（公告）號 公布日期
    1 一種半導(dǎo)體功率器件用襯底硅片及其制造工藝 發(fā)明專利 CN200810205212.8 CN101465290B 2010-11-17
    2 一種半導(dǎo)體功率器件用襯底硅片 實(shí)用新型 CN200820208572.9 CN201332099Y 2009-10-21
    3 一種半導(dǎo)體功率器件用襯底硅片及其制造工藝 發(fā)明專利 CN200810205212.8 CN101465290A 2009-06-24
    4 采用PSG摻雜技術(shù)的VDMOS、IGBT功率器件及其制造工藝 發(fā)明專利 CN200710037559.1 CN100477270C 2009-04-08
    5 一種復(fù)合柵、柵源自隔離VDMOS、IGBT功率器件 實(shí)用新型 CN200720067356.2 CN201017890Y 2008-02-06
    6 采用PSG摻雜技術(shù)的VDMOS、IGBT功率器件 實(shí)用新型 CN200720067355.8 CN201017889Y 2008-02-06
    7 采用PSG摻雜技術(shù)的VDMOS、IGBT功率器件及其制造工藝 發(fā)明專利 CN200710037559.1 CN101017850A 2007-08-15
    8 一種復(fù)合柵、柵源自隔離VDMOS、IGBT功率器件及其制造工藝 發(fā)明專利 CN200710037558.7 CN101017849A 2007-08-15

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