科萊特
湖南科萊特光電有限公司
存續(xù)商標(biāo)信息0
專利信息6
序號 | 專利名稱 | 專利類型 | 申請?zhí)?/th> | 公開(公告)號 | 公布日期 |
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1 | InAs/GaSb緩沖層、硅基銻化物半導(dǎo)體材料及其制備方法和元器件 | 發(fā)明專利 | CN202011595232.8 | CN112688157A | 2021-04-20 |
2 | 單分子層內(nèi)δ摻雜的半導(dǎo)體材料及其制備方法和探測器 | 發(fā)明專利 | CN202011550954.1 | CN112670356A | 2021-04-16 |
3 | InAs/InAsSbII類超晶格材料及其制備方法和紅外波段探測器 | 發(fā)明專利 | CN202011445045.1 | CN112563352A | 2021-03-26 |
4 | 垂直型III-V族超晶格材料、具有超晶格分布的InGaAsSb四元合金及制備方法 | 發(fā)明專利 | CN202010846114.3 | CN111934200A | 2020-11-13 |
5 | 嵌入量子線的超晶格材料及其制備方法、紅外波段發(fā)光材料和探測器 | 發(fā)明專利 | CN202010822697.6 | CN111916511A | 2020-11-10 |
6 | 半導(dǎo)體材料及其制備方法和應(yīng)用、激光器、光電探測器 | 發(fā)明專利 | CN202010445691.1 | CN111584657A | 2020-08-25 |
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