國(guó)芯
湖南國(guó)芯半導(dǎo)體科技有限公司
存續(xù)商標(biāo)信息4
序號(hào) | 商標(biāo)名稱 | 國(guó)際分類 | 注冊(cè)號(hào) | 狀態(tài) | 申請(qǐng)日期 | 操作 |
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1 | CORESINGSEMI | 09類-科學(xué)儀器 | 40935100 | 商標(biāo)已注冊(cè) | 2019-09-09 | 查看 |
2 | CORESINGSEMI | 42類-網(wǎng)站服務(wù) | 40925733 | 商標(biāo)已注冊(cè) | 2019-09-09 | 查看 |
3 | CORESINGTECH | 42類-網(wǎng)站服務(wù) | 40925731 | 商標(biāo)已注冊(cè) | 2019-09-09 | 查看 |
4 | CORESINGTECH | 09類-科學(xué)儀器 | 40925710 | 商標(biāo)已注冊(cè) | 2019-09-09 | 查看 |
專利信息29
序號(hào) | 專利名稱 | 專利類型 | 申請(qǐng)?zhí)?/th> | 公開(公告)號(hào) | 公布日期 |
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1 | 一種功率模塊端子及焊接方法 | 發(fā)明專利 | CN202010279162.9 | CN113517582A | 2021-10-19 |
2 | 功率端子、功率模塊封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法 | 發(fā)明專利 | CN201911337841.0 | CN111162051B | 2021-08-03 |
3 | 一種碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)電路 | 發(fā)明專利 | CN201911366027.1 | CN113054829A | 2021-06-29 |
4 | 防止硅片電阻局部放電失效的方法、結(jié)構(gòu)及功率半導(dǎo)體器件 | 發(fā)明專利 | CN201911368420.4 | CN113053856A | 2021-06-29 |
5 | 一種功率模塊封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法 | 發(fā)明專利 | CN201911420634.1 | CN111128950B | 2021-06-22 |
6 | 一種功率模塊封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法 | 發(fā)明專利 | CN201911420634.1 | CN111128950A | 2021-06-22 |
7 | 一種功率模塊端子 | 發(fā)明專利 | CN202010278773.1 | CN111509407B | 2021-06-18 |
8 | 一種功率模塊端子 | 發(fā)明專利 | CN202010278773.1 | CN111509407A | 2021-06-18 |
9 | 一種智能功率模塊防過電壓失效的方法及系統(tǒng) | 發(fā)明專利 | CN202011138732.9 | CN112332646A | 2021-02-05 |
10 | 一種基于混合器件的光-儲(chǔ)分布式系統(tǒng)的控制方法 | 發(fā)明專利 | CN202011174187.9 | CN112332434A | 2021-02-05 |
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