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    專利信息39

    序號(hào) 專利名稱 專利類型 申請(qǐng)?zhí)?/th> 公開(kāi)(公告)號(hào) 公布日期
    1 相變存儲(chǔ)器及其制作方法 發(fā)明專利 CN202210572855.6 CN114678468A 2022-06-28
    2 一種含有場(chǎng)板的DMOS晶體管及其制作方法 發(fā)明專利 CN202210559949.X CN114664934A 2022-06-24
    3 一種圖像智能降噪先驗(yàn)檢測(cè)方法 發(fā)明專利 CN202210352908.3 CN114511469B 2022-06-21
    4 一種圖像智能降噪先驗(yàn)檢測(cè)方法 發(fā)明專利 CN202210352908.3 CN114511469A 2022-06-21
    5 基于改進(jìn)哈夫曼編碼的圖像壓縮方法、3D降噪方法 發(fā)明專利 CN202210483792.7 CN114640857A 2022-06-17
    6 一種多溝槽功率MOSFET結(jié)構(gòu)及其制作方法 發(fā)明專利 CN202210516981.X CN114628496A 2022-06-14
    7 適用于3DNR圖像降噪的raw圖像壓縮方法及裝置 發(fā)明專利 CN202210449170.2 CN114567782A 2022-05-31
    8 一種基于納米晶顆粒的場(chǎng)效應(yīng)晶體管存儲(chǔ)器及其制作方法 發(fā)明專利 CN202210432730.3 CN114551585A 2022-05-27
    9 一種電容容值檢測(cè)電路以及檢測(cè)方法 發(fā)明專利 CN202210281714.9 CN114371346B 2022-05-24
    10 一種碳化硅功率半導(dǎo)體器件及其制備方法 發(fā)明專利 CN202210196047.4 CN114335152B 2022-05-24

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