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    • 中合博芯

    中合博芯（重慶）半導(dǎo)體有限公司

    存續(xù)
    • 地址：重慶市合川區(qū)信息安全產(chǎn)業(yè)城草街街道嘉合大道500號
    • 簡介：-
    • 商標(biāo)信息 1
    • 專利信息 23
    • 軟件著作權(quán) 0
    • 作品著作權(quán) 0
    • 網(wǎng)站備案 0

    商標(biāo)信息1

    序號 商標(biāo)名稱 國際分類 注冊號 狀態(tài) 申請日期 操作
    1 BOSEMI - 40878743 商標(biāo)無效 2019-09-06 查看

    專利信息23

    序號 專利名稱 專利類型 申請?zhí)?/th> 公開（公告）號 公布日期
    1 一種NPN型橫向SOIAlGaN/SiHBT器件結(jié)構(gòu) 實用新型 CN202020083895.0 CN211743162U 2020-10-23
    2 一種NPN型橫向GaN/SiGeHBT器件結(jié)構(gòu) 實用新型 CN202020083894.6 CN211182211U 2020-08-04
    3 一種可調(diào)出光波長的新型底發(fā)射垂直腔面發(fā)射激光器 實用新型 CN202020137938.9 CN211088741U 2020-07-24
    4 一種基于液晶結(jié)構(gòu)的可調(diào)垂直腔面發(fā)射激光器 實用新型 CN202020137498.7 CN211063049U 2020-07-21
    5 一種可調(diào)出光波長的異質(zhì)結(jié)垂直腔面發(fā)射激光器 實用新型 CN202020137430.9 CN211063048U 2020-07-21
    6 一種NPN型橫向GaN/SiGe HBT器件結(jié)構(gòu)及其制備方法 發(fā)明專利 CN202010042636.8 CN111129120A 2020-05-08
    7 一種NPN型橫向SOI AlGaN/Si HBT器件結(jié)構(gòu)及其制備方法 發(fā)明專利 CN202010042610.3 CN111106164A 2020-05-05
    8 PNP型肖特基集電區(qū)AlGaN/GaN HBT器件 實用新型 CN201922274452.X CN210110780U 2020-02-21
    9 NPN型肖特基集電區(qū)AlGaN/GaN HBT器件 實用新型 CN201922274451.5 CN210110779U 2020-02-21
    10 一種可調(diào)出光波長的新型垂直腔面發(fā)射激光器 實用新型 CN201922211427.7 CN210074423U 2020-02-14

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