江蘇能華
商標信息10
序號 | 商標名稱 | 國際分類 | 注冊號 | 狀態(tài) | 申請日期 | 操作 |
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1 | CORENERGY | 42類-網站服務 | 13101161 | 商標已注冊 | 2013-08-19 | 查看 |
2 | 能華微電 | 42類-網站服務 | 13101120 | 商標無效 | 2013-08-19 | 查看 |
3 | CORENERGY | 09類-科學儀器 | 13101069 | 商標已注冊 | 2013-08-19 | 查看 |
4 | 科能微電 | 09類-科學儀器 | 13101020 | 商標已注冊 | 2013-08-19 | 查看 |
5 | 能華微電 | 09類-科學儀器 | 13100981 | 商標已注冊 | 2013-08-19 | 查看 |
6 | 科能之芯 | 09類-科學儀器 | 13100909 | 商標已注冊 | 2013-08-19 | 查看 |
7 | COREPI | 09類-科學儀器 | 13100864 | 商標已注冊 | 2013-08-19 | 查看 |
8 | CORENERGY | 09類-科學儀器 | 13100809 | 商標已注冊 | 2013-08-19 | 查看 |
9 | CORENERGY | 09類-科學儀器 | 13100730 | 商標無效 | 2013-08-19 | 查看 |
10 | 科能之芯 | 09類-科學儀器 | 13100693 | 商標無效 | 2013-08-19 | 查看 |
專利信息92
序號 | 專利名稱 | 專利類型 | 申請?zhí)?/th> | 公開(公告)號 | 公布日期 |
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1 | 一種提升p型GaN摻雜濃度的外延結構的制備方法及結構 | 發(fā)明專利 | CN201910534586.2 | CN110246753B | 2021-07-13 |
2 | 一種提升p型GaN摻雜濃度的外延結構的制備方法及結構 | 發(fā)明專利 | CN201910534586.2 | CN110246753A | 2021-07-13 |
3 | 一種GaN HEMT器件中選擇性去除GaN的方法及器件 | 發(fā)明專利 | CN202011506761.6 | CN112635555A | 2021-04-09 |
4 | 一種平坦化金屬疊層的方法及器件 | 發(fā)明專利 | CN202011506746.1 | CN112614810A | 2021-04-06 |
5 | 一種在GaNHEMT器件中形成多功能p-GaN電極的方法及器件 | 發(fā)明專利 | CN202011500550.1 | CN112614778A | 2021-04-06 |
6 | 一種T形柵極金屬下部柵極溝道開口的自對準方法及器件 | 發(fā)明專利 | CN202011500532.3 | CN112614777A | 2021-04-06 |
7 | 一種基于D型氮化鎵開關器件的低損耗快充電源 | 實用新型 | CN202021385455.7 | CN212210577U | 2020-12-22 |
8 | 一種抗電磁干擾的緊湊型快充電源 | 實用新型 | CN202021386410.1 | CN212183414U | 2020-12-18 |
9 | 一種基于E型氮化鎵開關器件的高效充電電源 | 實用新型 | CN202021385454.2 | CN212183413U | 2020-12-18 |
10 | 一種低漏感型快充電源 | 實用新型 | CN202021385194.9 | CN212183412U | 2020-12-18 |
軟件著作權0
作品著作權0
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