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    • 中證博芯

    中證博芯（重慶）半導(dǎo)體有限公司

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    序號(hào) 專利名稱 專利類型 申請(qǐng)?zhí)?/th> 公開(kāi)（公告）號(hào) 公布日期
    1 一種新型DBR結(jié)構(gòu)的VCSEL 實(shí)用新型 CN201821740060.7 CN210640483U 2020-05-29
    2 NPN型肖特基集電區(qū)AlGaN/GaN HBT器件及其制備方法 發(fā)明專利 CN201911303100.0 CN111081769A 2020-04-28
    3 PNP型肖特基集電區(qū)AlGaN/GaN HBT器件 實(shí)用新型 CN201922274452.X CN210110780U 2020-02-21
    4 NPN型肖特基集電區(qū)AlGaN/GaN HBT器件 實(shí)用新型 CN201922274451.5 CN210110779U 2020-02-21
    5 一種可調(diào)出光波長(zhǎng)的新型垂直腔面發(fā)射激光器 實(shí)用新型 CN201922211427.7 CN210074423U 2020-02-14
    6 一種新型底發(fā)射垂直腔面發(fā)射激光器 實(shí)用新型 CN201922210410.X CN210074422U 2020-02-14
    7 一種出光波長(zhǎng)可調(diào)的垂直腔面發(fā)射激光器 實(shí)用新型 CN201922210375.1 CN210074421U 2020-02-14
    8 一種增強(qiáng)型異質(zhì)金屬柵AlGaN/GaN MOS-HEMT器件 實(shí)用新型 CN201921823837.0 CN210073863U 2020-02-14
    9 PNP型肖特基集電區(qū)AlGaN/GaN HBT器件及其制備方法 發(fā)明專利 CN201911303076.0 CN110797402A 2020-02-14
    10 臺(tái)面結(jié)構(gòu)PNP型肖特基集電區(qū)SOI SiGe HBT結(jié)構(gòu) 實(shí)用新型 CN201921934642.3 CN209981219U 2020-01-21

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