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    • 新硅聚合

    上海新硅聚合半導(dǎo)體有限公司

    存續(xù)
    • 地址：上海市嘉定區(qū)匯源路55號8幢3層J
    • 簡介：-
    • 商標信息 4
    • 專利信息 6
    • 軟件著作權(quán) 0
    • 作品著作權(quán) 0
    • 網(wǎng)站備案 1

    商標信息4

    序號 商標名稱 國際分類 注冊號 狀態(tài) 申請日期 操作
    1 圖形 01類-化學(xué)原料 54615207 初審公告 2021-03-24 查看
    2 圖形 42類-網(wǎng)站服務(wù) 54599209 初審公告 2021-03-24 查看
    3 圖形 40類-材料加工 54599197 初審公告 2021-03-24 查看
    4 圖形 09類-科學(xué)儀器 54596086 初審公告 2021-03-24 查看

    專利信息6

    序號 專利名稱 專利類型 申請?zhí)?/th> 公開（公告）號 公布日期
    1 一種異質(zhì)薄膜襯底的制備方法及聲濾波器 發(fā)明專利 CN202110829225.8 CN113764574A 2021-12-07
    2 一種用于聲學(xué)濾波器的異質(zhì)單晶薄膜的制備方法 發(fā)明專利 CN202110829439.5 CN113764572A 2021-12-07
    3 一種混合集成光電芯片襯底結(jié)構(gòu)的制備方法及襯底結(jié)構(gòu) 發(fā)明專利 CN202110518985.7 CN113437162A 2021-09-24
    4 一種提高薄膜CMP拋光厚度均勻性的方法 發(fā)明專利 CN202110524096.1 CN113436960A 2021-09-24
    5 一種異質(zhì)單晶薄膜的制備方法及異質(zhì)單晶薄膜 發(fā)明專利 CN202110467099.6 CN113394338A 2021-09-14
    6 一種復(fù)合襯底的熱膨脹系數(shù)測試方法 發(fā)明專利 CN202110467371.0 CN113176291A 2021-07-27

    軟件著作權(quán)0

    暫無信息 暫無軟件著作權(quán)

    作品著作權(quán)0

    暫無信息 暫無作品著作權(quán)

    網(wǎng)站備案1

    序號 網(wǎng)站名 網(wǎng)址 備案號 主辦單位性質(zhì) 審核日期
    1 上海新硅聚合半導(dǎo)體有限公司 www.shnsit.com 滬ICP備2021002677號 企業(yè) 2021-01-26
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