華瑞
滁州華瑞微電子科技有限公司
存續(xù)商標信息0
專利信息6
序號 | 專利名稱 | 專利類型 | 申請?zhí)?/th> | 公開(公告)號 | 公布日期 |
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1 | 一種改善EMI及降低特征電阻的超結器件 | 實用新型 | CN202120092933.3 | CN214226914U | 2021-09-17 |
2 | 一種集成SBR的低損耗高壓超結器件及其制備方法 | 發(fā)明專利 | CN202110589057.X | CN113314592A | 2021-08-27 |
3 | 一種具有超高隔離電壓的智能型超結MOS及其制造方法 | 發(fā)明專利 | CN202110532789.5 | CN113241371A | 2021-08-10 |
4 | 一種具有電荷平衡結構的溝槽MOSFET及其制作方法 | 發(fā)明專利 | CN202110115394.5 | CN112909075A | 2021-06-04 |
5 | 一種改善EMI及降低特征電阻的超結器件及其制造方法 | 發(fā)明專利 | CN202110046715.0 | CN112786684A | 2021-05-11 |
6 | 一種溝槽終端結構及其制備方法 | 發(fā)明專利 | CN202110023025.3 | CN112768506A | 2021-05-07 |
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