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    • 天科合達(dá)

    新疆天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體有限公司

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    專(zhuān)利信息37

    序號(hào) 專(zhuān)利名稱(chēng) 專(zhuān)利類(lèi)型 申請(qǐng)?zhí)?/th> 公開(kāi)（公告）號(hào) 公布日期
    1 高質(zhì)量碳化硅籽晶、碳化硅晶體、碳化硅襯底及其制備方法 發(fā)明專(zhuān)利 CN202110484326.6 CN113186601A 2021-07-30
    2 一種高質(zhì)量SiC單晶片及其制備方法 發(fā)明專(zhuān)利 CN201911380293.X CN113046825A 2021-06-29
    3 一種電阻率均勻的半絕緣型碳化硅晶片及其制備方法 發(fā)明專(zhuān)利 CN201911356607.2 CN113026093A 2021-06-25
    4 一種高質(zhì)量低缺陷碳化硅單晶、其制備方法及應(yīng)用 發(fā)明專(zhuān)利 CN202011535254.5 CN112779603A 2021-05-11
    5 一種導(dǎo)電型碳化硅單晶及其制備方法 發(fā)明專(zhuān)利 CN202011536526.3 CN112725893A 2021-04-30
    6 一種有效降低碳化硅單晶缺陷的生長(zhǎng)方法和高質(zhì)量碳化硅單晶 發(fā)明專(zhuān)利 CN201911380301.0 CN110983434B 2021-04-16
    7 一種位錯(cuò)檢測(cè)系統(tǒng) 發(fā)明專(zhuān)利 CN202011411979.3 CN112557402A 2021-03-26
    8 一種有效降低碳化硅單晶缺陷的生長(zhǎng)方法和高質(zhì)量碳化硅單晶 發(fā)明專(zhuān)利 CN201911380301.0 CN110983434A 2020-04-10
    9 一種高品質(zhì)的大尺寸碳化硅晶體生長(zhǎng)方法 發(fā)明專(zhuān)利 CN201811534979.5 CN110592673B 2019-12-20
    10 一種低基面位錯(cuò)密度的碳化硅晶體生長(zhǎng)方法 發(fā)明專(zhuān)利 CN201811533723.2 CN110592672B 2019-12-20

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