材料
商標(biāo)信息3
序號(hào) | 商標(biāo)名稱 | 國(guó)際分類 | 注冊(cè)號(hào) | 狀態(tài) | 申請(qǐng)日期 | 操作 |
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1 | 上海集成電路材料研究院 SHANGHAI INSTITUTE OF IC MATERIALS | 42類-網(wǎng)站服務(wù) | 55718465 | 駁回復(fù)審中 | 2021-04-29 | 查看 |
2 | 上海集成電路材料研究院 SHANGHAI INSTITUTE OF IC MATERIALS | 09類-科學(xué)儀器 | 55706657 | 駁回復(fù)審中 | 2021-04-29 | 查看 |
3 | 上海集成電路材料研究院 SHANGHAI INSTITUTE OF IC MATERIALS | 01類-化學(xué)原料 | 55699818 | 駁回復(fù)審中 | 2021-04-29 | 查看 |
專利信息7
序號(hào) | 專利名稱 | 專利類型 | 申請(qǐng)?zhí)?/th> | 公開(kāi)(公告)號(hào) | 公布日期 |
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1 | 利用離子注入釋放單晶氮化鋁應(yīng)力的方法 | 發(fā)明專利 | CN202210146662.4 | CN114525589A | 2022-05-24 |
2 | 高通量薄膜沉積設(shè)備及薄膜沉積方法 | 發(fā)明專利 | CN202111137580.5 | CN113862625A | 2021-12-31 |
3 | 濺射沉積設(shè)備及濺射沉積方法 | 發(fā)明專利 | CN202111137578.8 | CN113862624A | 2021-12-31 |
4 | 具有穩(wěn)定頻率功能的體聲波諧振器 | 發(fā)明專利 | CN202111043759.4 | CN113746446A | 2021-12-03 |
5 | 壓電薄膜體聲波諧振器及其制備方法 | 發(fā)明專利 | CN202111045283.8 | CN113708740A | 2021-11-26 |
6 | 通過(guò)濕化學(xué)法選擇性去除Si3N4 | 發(fā)明專利 | CN202080015854.0 | CN113632199A | 2021-11-09 |
7 | 基于內(nèi)嵌空腔SOI襯底的多柵MOS器件及其制備方法 | 發(fā)明專利 | CN202110749918.6 | CN113471213A | 2021-10-01 |
軟件著作權(quán)0
作品著作權(quán)0
網(wǎng)站備案3
序號(hào) | 網(wǎng)站名 | 網(wǎng)址 | 備案號(hào) | 主辦單位性質(zhì) | 審核日期 |
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1 | 上海集成電路材料研究院有限公司 | www.sicm.com.cn | 滬ICP備2020029613號(hào) | 企業(yè) | 2020-09-24 |
2 | 上海集成電路材料研究院有限公司 | www.sicm.com.cn | 滬ICP備2020029613號(hào) | 企業(yè) | 2020-09-24 |
3 | - | www.sicm.com.cn | 滬ICP備2020029613號(hào) | 企業(yè) | 2020-09-24 |
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