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    上海集成電路材料研究院有限公司

    存續(xù)
    • 地址:上海市嘉定區(qū)興賢路1180號(hào)1幢3層301室
    • 簡(jiǎn)介:-
    • 商標(biāo)信息 3
    • 專利信息 7
    • 軟件著作權(quán) 0
    • 作品著作權(quán) 0
    • 網(wǎng)站備案 3

    商標(biāo)信息3

    序號(hào) 商標(biāo)名稱 國(guó)際分類 注冊(cè)號(hào) 狀態(tài) 申請(qǐng)日期 操作
    1 上海集成電路材料研究院 SHANGHAI INSTITUTE OF IC MATERIALS 42類-網(wǎng)站服務(wù) 55718465 駁回復(fù)審中 2021-04-29 查看
    2 上海集成電路材料研究院 SHANGHAI INSTITUTE OF IC MATERIALS 09類-科學(xué)儀器 55706657 駁回復(fù)審中 2021-04-29 查看
    3 上海集成電路材料研究院 SHANGHAI INSTITUTE OF IC MATERIALS 01類-化學(xué)原料 55699818 駁回復(fù)審中 2021-04-29 查看

    專利信息7

    序號(hào) 專利名稱 專利類型 申請(qǐng)?zhí)?/th> 公開(kāi)(公告)號(hào) 公布日期
    1 利用離子注入釋放單晶氮化鋁應(yīng)力的方法 發(fā)明專利 CN202210146662.4 CN114525589A 2022-05-24
    2 高通量薄膜沉積設(shè)備及薄膜沉積方法 發(fā)明專利 CN202111137580.5 CN113862625A 2021-12-31
    3 濺射沉積設(shè)備及濺射沉積方法 發(fā)明專利 CN202111137578.8 CN113862624A 2021-12-31
    4 具有穩(wěn)定頻率功能的體聲波諧振器 發(fā)明專利 CN202111043759.4 CN113746446A 2021-12-03
    5 壓電薄膜體聲波諧振器及其制備方法 發(fā)明專利 CN202111045283.8 CN113708740A 2021-11-26
    6 通過(guò)濕化學(xué)法選擇性去除Si3N4 發(fā)明專利 CN202080015854.0 CN113632199A 2021-11-09
    7 基于內(nèi)嵌空腔SOI襯底的多柵MOS器件及其制備方法 發(fā)明專利 CN202110749918.6 CN113471213A 2021-10-01

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    作品著作權(quán)0

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    網(wǎng)站備案3

    序號(hào) 網(wǎng)站名 網(wǎng)址 備案號(hào) 主辦單位性質(zhì) 審核日期
    1 上海集成電路材料研究院有限公司 www.sicm.com.cn 滬ICP備2020029613號(hào) 企業(yè) 2020-09-24
    2 上海集成電路材料研究院有限公司 www.sicm.com.cn 滬ICP備2020029613號(hào) 企業(yè) 2020-09-24
    3 - www.sicm.com.cn 滬ICP備2020029613號(hào) 企業(yè) 2020-09-24
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