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    • 同光科技

    河北同光科技發(fā)展有限公司

    存續(xù)
    • 官網(wǎng)：-
    • 地址：河北省保定市淶源縣經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)同光大街1號(hào)
    • 簡介：-
    • 商標(biāo)信息 3
    • 專利信息 15
    • 軟件著作權(quán) 0
    • 作品著作權(quán) 0
    • 網(wǎng)站備案 0

    商標(biāo)信息3

    序號(hào) 商標(biāo)名稱 國際分類 注冊(cè)號(hào) 狀態(tài) 申請(qǐng)日期 操作
    1 圖形 42類-網(wǎng)站服務(wù) 59863376 等待實(shí)質(zhì)審查 2021-10-15 查看
    2 圖形 35類-廣告銷售 59854528 等待實(shí)質(zhì)審查 2021-10-15 查看
    3 圖形 09類-科學(xué)儀器 59848816 等待實(shí)質(zhì)審查 2021-10-15 查看

    專利信息15

    序號(hào) 專利名稱 專利類型 申請(qǐng)?zhí)?/th> 公開（公告）號(hào) 公布日期
    1 一種碳化硅晶圓貫穿型管道缺陷的檢測(cè)方法及裝置 發(fā)明專利 CN202110988095.2 CN113758641A 2021-12-07
    2 用于解決碳化硅晶圓化學(xué)機(jī)械拋光后產(chǎn)生局部高點(diǎn)的方法、陶瓷盤、化學(xué)機(jī)械拋光裝置 發(fā)明專利 CN202110988094.8 CN113681456A 2021-11-23
    3 高純半絕緣SiC單晶的制備方法 發(fā)明專利 CN202010691891.5 CN111893564B 2021-10-29
    4 一種高質(zhì)量大直徑SiC單晶的制備裝置 實(shí)用新型 CN202021499230.4 CN212771047U 2021-03-23
    5 一種基于可控生長中心制備碳化硅單晶的方法 發(fā)明專利 CN201910881831.7 CN110656376B 2021-02-26
    6 一種低應(yīng)力碳化硅單晶的籽晶安裝裝置及晶體生長工藝 發(fā)明專利 CN201910762897.4 CN110541195B 2021-02-26
    7 一種低缺陷密度SiC單晶的制備裝置 實(shí)用新型 CN202021500700.4 CN212451746U 2021-02-02
    8 碳化硅單晶快速擴(kuò)徑生長系統(tǒng) 實(shí)用新型 CN202021415249.6 CN212451745U 2021-02-02
    9 高純半絕緣SiC單晶的制備方法 發(fā)明專利 CN202010691891.5 CN111893564A 2020-11-06
    10 一種碳化硅晶片化學(xué)機(jī)械拋光后表面保護(hù)方法 發(fā)明專利 CN202010691694.3 CN111883416A 2020-11-03

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