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    • 天科合達(dá)

    北京天科合達(dá)新材料有限公司

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    專利信息16

    序號(hào) 專利名稱 專利類型 申請(qǐng)?zhí)?/th> 公開(kāi)（公告）號(hào) 公布日期
    1 一種高質(zhì)量SiC單晶片及其制備方法 發(fā)明專利 CN201911380293.X CN113046825A 2021-06-29
    2 一種電阻率均勻的半絕緣型碳化硅晶片及其制備方法 發(fā)明專利 CN201911356607.2 CN113026093A 2021-06-25
    3 一種高質(zhì)量低缺陷碳化硅單晶、其制備方法及應(yīng)用 發(fā)明專利 CN202011535254.5 CN112779603A 2021-05-11
    4 一種導(dǎo)電型碳化硅單晶及其制備方法 發(fā)明專利 CN202011536526.3 CN112725893A 2021-04-30
    5 一種有效降低碳化硅單晶缺陷的生長(zhǎng)方法和高質(zhì)量碳化硅單晶 發(fā)明專利 CN201911380301.0 CN110983434B 2021-04-16
    6 一種位錯(cuò)檢測(cè)系統(tǒng) 發(fā)明專利 CN202011411979.3 CN112557402A 2021-03-26
    7 一種大尺寸晶片加工用拋光液循環(huán)裝置和方法 發(fā)明專利 CN201911377667.2 CN111015500A 2020-04-17
    8 一種有效降低碳化硅單晶缺陷的生長(zhǎng)方法和高質(zhì)量碳化硅單晶 發(fā)明專利 CN201911380301.0 CN110983434A 2020-04-10
    9 一種低基面位錯(cuò)密度的碳化硅晶體生長(zhǎng)方法 發(fā)明專利 CN201811533723.2 CN110592672B 2019-12-20
    10 一種低基面位錯(cuò)密度的碳化硅晶體生長(zhǎng)方法 發(fā)明專利 CN201811533723.2 CN110592672A 2019-12-20

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