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    • 中芯國(guó)際

    中芯國(guó)際集成電路制造（北京）有限公司

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    • 地址：北京市北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)文昌大道18號(hào)
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    序號(hào) 專利名稱 專利類型 申請(qǐng)?zhí)?/th> 公開（公告）號(hào) 公布日期
    1 化學(xué)機(jī)械研磨方法 發(fā)明專利 CN201910015829.1 CN111421462B 2022-03-22
    2 半導(dǎo)體器件及其形成方法 發(fā)明專利 CN201810117271.3 CN110120345B 2022-03-22
    3 半導(dǎo)體器件及其形成方法 發(fā)明專利 CN201710897542.7 CN109585290B 2022-03-22
    4 SRAM單元及其檢測(cè)方法、SRAM單元的檢測(cè)系統(tǒng)和SRAM器件 發(fā)明專利 CN201710037835.8 CN108320775B 2022-03-22
    5 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法 發(fā)明專利 CN202010912159.6 CN114203814A 2022-03-18
    6 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法 發(fā)明專利 CN202010988486.X CN114203698A 2022-03-18
    7 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法 發(fā)明專利 CN202010990198.8 CN114203697A 2022-03-18
    8 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法 發(fā)明專利 CN202010988492.5 CN114203696A 2022-03-18
    9 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法 發(fā)明專利 CN202010988489.3 CN114203671A 2022-03-18
    10 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法 發(fā)明專利 CN202010980689.4 CN114203670A 2022-03-18

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