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    浙江納晶科技有限公司

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    序號(hào) 專利名稱 專利類型 申請(qǐng)?zhí)?/th> 公開（公告）號(hào) 公布日期
    1 核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)、其制備方法以及應(yīng)用 發(fā)明專利 CN201911278118.X CN112980428A 2021-06-18
    2 合金量子點(diǎn)、其制備方法以及應(yīng)用 發(fā)明專利 CN201911273156.6 CN112961668A 2021-06-15
    3 量子點(diǎn)核、核殼型量子點(diǎn)、其制備方法、量子點(diǎn)發(fā)光器件及量子點(diǎn)組合物 發(fā)明專利 CN201911151340.3 CN112824479A 2021-05-21
    4 一種近紅外量子點(diǎn)及其制備方法和應(yīng)用 發(fā)明專利 CN201911057842.X CN110982530A 2020-04-10
    5 InP量子點(diǎn)及其制備方法 發(fā)明專利 CN201610997228.1 CN106701059B 2019-07-02
    6 ZnSe/III-V族/ZnSexS1-x或ZnSe/III-V族/ZnSe/ZnS量子點(diǎn)及其制備方法 發(fā)明專利 CN201610834857.2 CN106479481B 2019-04-30
    7 InP量子點(diǎn)及其制備方法 發(fā)明專利 CN201610834922.1 CN106479482B 2018-11-06
    8 量子點(diǎn)組合物、量子點(diǎn)復(fù)合材料、其制備方法及應(yīng)用 發(fā)明專利 CN201610623563.5 CN106381140B 2018-08-03
    9 InP量子點(diǎn)及其制備方法 發(fā)明專利 CN201610997228.1 CN106701059A 2017-05-24
    10 InP量子點(diǎn)及其制備方法 發(fā)明專利 CN201610834922.1 CN106479482A 2017-03-08

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