弘高創(chuàng)意
北京弘高創(chuàng)意建筑設(shè)計(jì)股份有限公司
存續(xù)商標(biāo)信息0
專利信息26
序號 | 專利名稱 | 專利類型 | 申請?zhí)?/th> | 公開(公告)號 | 公布日期 |
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1 | 大功率方片可控硅封裝結(jié)構(gòu) | 發(fā)明專利 | CN201310724868.1 | CN103646927B | 2016-02-24 |
2 | 一種雙面半導(dǎo)體器件的QFN封裝結(jié)構(gòu)及方法 | 發(fā)明專利 | CN201410315879.9 | CN104064533A | 2014-09-24 |
3 | 超低電容固體放電管 | 實(shí)用新型 | CN201320854955.4 | CN203644786U | 2014-06-11 |
4 | 大功率方片可控硅封裝結(jié)構(gòu) | 實(shí)用新型 | CN201320861456.8 | CN203644755U | 2014-06-11 |
5 | 大功率方片可控硅封裝結(jié)構(gòu) | 發(fā)明專利 | CN201310724868.1 | CN103646927A | 2014-03-19 |
6 | 超低電容固體放電管 | 發(fā)明專利 | CN201310718043.9 | CN103633130A | 2014-03-12 |
7 | 大功率可控硅 | 發(fā)明專利 | CN201210046232.1 | CN103296074A | 2013-09-11 |
8 | 帶有復(fù)合鈍化膜的大功率器件 | 發(fā)明專利 | CN201210046231.7 | CN103295974A | 2013-09-11 |
9 | 集成ESD保護(hù)的功率MOSFET或IGBT及制備方法 | 發(fā)明專利 | CN201010502011.1 | CN101982881B | 2012-12-12 |
10 | ESD保護(hù)的功率MOSFET和IGBT | 實(shí)用新型 | CN201020648105.5 | CN202534648U | 2012-11-14 |
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