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  • 晟芯

    南京晟芯半導(dǎo)體有限公司

    存續(xù)
    • 地址:南京市江寧經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)高湖路105號
    • 簡介:-
    • 商標(biāo)信息 1
    • 專利信息 41
    • 軟件著作權(quán) 0
    • 作品著作權(quán) 0
    • 網(wǎng)站備案 2

    商標(biāo)信息1

    序號 商標(biāo)名稱 國際分類 注冊號 狀態(tài) 申請日期 操作
    1 SUNNYCHIP 09類-科學(xué)儀器 41058015 商標(biāo)已注冊 2019-09-16 查看

    專利信息41

    序號 專利名稱 專利類型 申請?zhí)?/th> 公開(公告)號 公布日期
    1 一種具有抑制振蕩效果的IGBT器件及其制造方法 發(fā)明專利 CN202110645399.9 CN113257902A 2021-08-13
    2 一種提高半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管芯片短路能力的結(jié)構(gòu)及方法 發(fā)明專利 CN202010653924.7 CN111933604B 2021-07-27
    3 一種低導(dǎo)通壓降的絕緣柵雙極晶體管及其制備方法 發(fā)明專利 CN201810570229.7 CN108807501B 2021-05-25
    4 一種SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管芯片 發(fā)明專利 CN202010507601.7 CN111682069B 2021-04-09
    5 一種SiCMOSFET模塊陶瓷覆銅板結(jié)構(gòu) 實用新型 CN202021151093.5 CN212485324U 2021-02-05
    6 一種用于防止ARM SHORT現(xiàn)象的逆變電路及方法 發(fā)明專利 CN202010519479.5 CN111600503B 2020-12-15
    7 一種用于防止ARM SHORT現(xiàn)象的逆變電路及方法 發(fā)明專利 CN202010519479.5 CN111600503A 2020-12-15
    8 一種提高半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管芯片短路能力的結(jié)構(gòu)及方法 發(fā)明專利 CN202010653924.7 CN111933604A 2020-11-13
    9 一種溝槽型IGBT器件及其制造方法 發(fā)明專利 CN202010702279.3 CN111739940B 2020-10-02
    10 一種溝槽型IGBT器件及其制造方法 發(fā)明專利 CN202010702279.3 CN111739940A 2020-10-02

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    網(wǎng)站備案2

    序號 網(wǎng)站名 網(wǎng)址 備案號 主辦單位性質(zhì) 審核日期
    1 南京晟芯半導(dǎo)體有限公司 www.shengxinsemi.com 蘇ICP備14052392號 企業(yè) 2018-09-26
    2 南京晟芯半導(dǎo)體有限公司 www.shengxinsemi.com 蘇ICP備14052392號 企業(yè) 2018-09-26
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