晟芯
商標(biāo)信息1
序號 | 商標(biāo)名稱 | 國際分類 | 注冊號 | 狀態(tài) | 申請日期 | 操作 |
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1 | SUNNYCHIP | 09類-科學(xué)儀器 | 41058015 | 商標(biāo)已注冊 | 2019-09-16 | 查看 |
專利信息41
序號 | 專利名稱 | 專利類型 | 申請?zhí)?/th> | 公開(公告)號 | 公布日期 |
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1 | 一種具有抑制振蕩效果的IGBT器件及其制造方法 | 發(fā)明專利 | CN202110645399.9 | CN113257902A | 2021-08-13 |
2 | 一種提高半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管芯片短路能力的結(jié)構(gòu)及方法 | 發(fā)明專利 | CN202010653924.7 | CN111933604B | 2021-07-27 |
3 | 一種低導(dǎo)通壓降的絕緣柵雙極晶體管及其制備方法 | 發(fā)明專利 | CN201810570229.7 | CN108807501B | 2021-05-25 |
4 | 一種SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管芯片 | 發(fā)明專利 | CN202010507601.7 | CN111682069B | 2021-04-09 |
5 | 一種SiCMOSFET模塊陶瓷覆銅板結(jié)構(gòu) | 實用新型 | CN202021151093.5 | CN212485324U | 2021-02-05 |
6 | 一種用于防止ARM SHORT現(xiàn)象的逆變電路及方法 | 發(fā)明專利 | CN202010519479.5 | CN111600503B | 2020-12-15 |
7 | 一種用于防止ARM SHORT現(xiàn)象的逆變電路及方法 | 發(fā)明專利 | CN202010519479.5 | CN111600503A | 2020-12-15 |
8 | 一種提高半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管芯片短路能力的結(jié)構(gòu)及方法 | 發(fā)明專利 | CN202010653924.7 | CN111933604A | 2020-11-13 |
9 | 一種溝槽型IGBT器件及其制造方法 | 發(fā)明專利 | CN202010702279.3 | CN111739940B | 2020-10-02 |
10 | 一種溝槽型IGBT器件及其制造方法 | 發(fā)明專利 | CN202010702279.3 | CN111739940A | 2020-10-02 |
軟件著作權(quán)0
作品著作權(quán)0
網(wǎng)站備案2
序號 | 網(wǎng)站名 | 網(wǎng)址 | 備案號 | 主辦單位性質(zhì) | 審核日期 |
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1 | 南京晟芯半導(dǎo)體有限公司 | www.shengxinsemi.com | 蘇ICP備14052392號 | 企業(yè) | 2018-09-26 |
2 | 南京晟芯半導(dǎo)體有限公司 | www.shengxinsemi.com | 蘇ICP備14052392號 | 企業(yè) | 2018-09-26 |
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