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    • 彩虹藍(lán)光

    合肥彩虹藍(lán)光科技有限公司

    存續(xù)
    • 地址：安徽省合肥市新站區(qū)工業(yè)園內(nèi)
    • 簡介：-
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    • 專利信息 278
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    • 作品著作權(quán) 0
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    專利信息278

    序號(hào) 專利名稱 專利類型 申請(qǐng)?zhí)?/th> 公開（公告）號(hào) 公布日期
    1 一種深紫外線發(fā)光二極管及其制備方法 發(fā)明專利 CN201911412342.3 CN111129249B 2021-08-10
    2 一種深紫外線發(fā)光二極管及其制備方法 發(fā)明專利 CN201911412342.3 CN111129249A 2021-08-10
    3 金屬氮化鎵復(fù)合襯底外延生長方法及發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu) 發(fā)明專利 CN201910908504.6 CN110707184B 2021-06-18
    4 金屬氮化鎵復(fù)合襯底外延生長方法及發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu) 發(fā)明專利 CN201910908504.6 CN110707184A 2021-06-18
    5 一種LED封裝結(jié)構(gòu) 發(fā)明專利 CN201911105889.9 CN110864232B 2021-04-30
    6 發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)的制備方法 發(fā)明專利 CN201811510723.0 CN109638129B 2021-04-27
    7 一種深紫外LED芯片的制造方法 發(fā)明專利 CN201710388108.6 CN108963037B 2021-04-27
    8 一種隔離槽的制造方法及其應(yīng)用 發(fā)明專利 CN201910400487.5 CN110112264B 2020-12-18
    9 一種半導(dǎo)體元件的切割方法及制造方法 發(fā)明專利 CN201811416176.X CN109599357B 2020-12-18
    10 一種發(fā)光二極管芯片及其制備方法 發(fā)明專利 CN201811510747.6 CN109326701B 2020-12-18

    軟件著作權(quán)0

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    網(wǎng)站備案1

    序號(hào) 網(wǎng)站名 網(wǎng)址 備案號(hào) 主辦單位性質(zhì) 審核日期
    1 合肥彩虹藍(lán)光科技有限公司 www.epilight.com.cn 皖I(lǐng)CP備15015365號(hào) 企業(yè) 2019-08-19
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