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    • 瑞芯電子

    成都瑞芯電子有限公司

    吊銷，未注銷
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    商標(biāo)信息1

    序號(hào) 商標(biāo)名稱 國際分類 注冊(cè)號(hào) 狀態(tài) 申請(qǐng)日期 操作
    1 CPEC - 5230614 等待實(shí)質(zhì)審查 2006-03-22 查看

    專利信息23

    序號(hào) 專利名稱 專利類型 申請(qǐng)?zhí)?/th> 公開（公告）號(hào) 公布日期
    1 可有效降低柵極電阻和柵極電容的柱柵金氧半場(chǎng)效晶體管 實(shí)用新型 CN201320360360.3 CN203553174U 2014-04-16
    2 量子場(chǎng)分布的Trench MOSFET溝槽終端結(jié)構(gòu) 實(shí)用新型 CN201320254968.8 CN203277388U 2013-11-06
    3 一種功率MOSFET的溝槽終端結(jié)構(gòu) 實(shí)用新型 CN201320254969.2 CN203260588U 2013-10-30
    4 可有效降低柵極電阻和柵極電容的柱柵金氧半場(chǎng)效晶體管及其制造方法 發(fā)明專利 CN201310250184.2 CN103346167A 2013-10-09
    5 一種功率MOSFET的溝槽終端結(jié)構(gòu)及制造方法 發(fā)明專利 CN201310173433.2 CN103295911A 2013-09-11
    6 量子場(chǎng)分布的Trench MOSFET溝槽終端結(jié)構(gòu)及制造方法 發(fā)明專利 CN201310173432.8 CN103280452A 2013-09-04
    7 一種具有溝槽源極場(chǎng)板的Trench MOSFET晶體管 實(shí)用新型 CN201220433435.1 CN202758892U 2013-02-27
    8 一種寬輸入電壓高電源抑制比基準(zhǔn)電壓源 發(fā)明專利 CN201110033087.9 CN102053645B 2013-01-16
    9 一種具有溝槽源極場(chǎng)板的Trench MOSFET晶體管及其制備方法 發(fā)明專利 CN201210311691.8 CN102856385A 2013-01-02
    10 溝槽式金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制造方法 發(fā)明專利 CN201110027235.6 CN102110717B 2013-01-02

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