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    哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司

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    • 地址：哈爾濱市松北區(qū)智谷二街3043號哈爾濱松北（深圳龍崗）科技創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園12棟1-5樓
    • 簡介：-
    • 商標信息 1
    • 專利信息 138
    • 軟件著作權(quán) 0
    • 作品著作權(quán) 0
    • 網(wǎng)站備案 2

    商標信息1

    序號 商標名稱 國際分類 注冊號 狀態(tài) 申請日期 操作
    1 哈科友 - 44320588 商標已注冊 2020-03-02 查看

    專利信息138

    序號 專利名稱 專利類型 申請?zhí)?/th> 公開（公告）號 公布日期
    1 一種使用預(yù)處理粉料制備碳化硅晶體的生長方法 發(fā)明專利 CN202110216497.0 CN113026105B 2022-07-05
    2 一種采用預(yù)處理籽晶生長碳化硅晶體的方法 發(fā)明專利 CN202110216502.8 CN113005519B 2022-07-01
    3 一種PVT法碳化硅晶體生長中附加碳源的粉料的添加方法 發(fā)明專利 CN202110666260.2 CN113403681B 2022-06-28
    4 一種適用于多尺寸晶體生長的熱場設(shè)備及方法 發(fā)明專利 CN202011109662.4 CN112176401B 2022-05-20
    5 一種改善反應(yīng)室內(nèi)氣體流場的裝置 實用新型 CN202122349007.2 CN216074091U 2022-03-18
    6 一種晶體生長測溫裝置 實用新型 CN202122346666.0 CN216050293U 2022-03-15
    7 AlN籽晶精確擴徑的裝置及方法 發(fā)明專利 CN202010218338.X CN111321472B 2022-02-22
    8 一種電阻式方形碳化硅單晶生長工藝 發(fā)明專利 CN202111282333.4 CN114016135A 2022-02-08
    9 一種PVT法生長高質(zhì)量晶體的裝置 發(fā)明專利 CN202010217926.1 CN111321461B 2022-02-08
    10 一種電阻式6英寸碳化硅單晶爐的機械系統(tǒng) 發(fā)明專利 CN202111239982.6 CN113981538A 2022-01-28

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    作品著作權(quán)0

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    2 - 111.42.38.238 黑ICP備2021000129號 企業(yè) 2021-01-01
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