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    • 華功

    江蘇華功半導(dǎo)體有限公司

    存續(xù)
    • 官網(wǎng)：-
    • 地址：蘇州市吳江區(qū)黎里鎮(zhèn)汾湖大道558號
    • 簡介：-
    • 商標(biāo)信息 6
    • 專利信息 40
    • 軟件著作權(quán) 0
    • 作品著作權(quán) 0
    • 網(wǎng)站備案 0

    商標(biāo)信息6

    序號 商標(biāo)名稱 國際分類 注冊號 狀態(tài) 申請日期 操作
    1 圖形 - 31369943 商標(biāo)已注冊 2018-06-04 查看
    2 圖形 09類-科學(xué)儀器 22326361 商標(biāo)無效 2016-12-20 查看
    3 HWAGON 09類-科學(xué)儀器 22326332 商標(biāo)已注冊 2016-12-20 查看
    4 圖形 - 22309674 等待實質(zhì)審查 2016-12-19 查看
    5 HWAGON - 22309665 商標(biāo)已注冊 2016-12-19 查看
    6 華功 - 22309600 商標(biāo)已注冊 2016-12-19 查看

    專利信息40

    序號 專利名稱 專利類型 申請?zhí)?/th> 公開（公告）號 公布日期
    1 一種石墨盤 發(fā)明專利 CN201711063370.X CN107587118B 2020-03-03
    2 一種復(fù)合襯底及其制備方法 發(fā)明專利 CN201711063388.X CN107845569A 2018-03-27
    3 一種低導(dǎo)通電阻MIS凹槽柵GaN基晶體管及制備方法 發(fā)明專利 CN201711003341.4 CN107785435A 2018-03-09
    4 一種原位MIS柵結(jié)構(gòu)常關(guān)型GaN基晶體管及制備方法 發(fā)明專利 CN201711113639.0 CN107706232A 2018-02-16
    5 一種GaN基p型柵HFET器件及其制備方法 發(fā)明專利 CN201711002525.9 CN107680998A 2018-02-09
    6 一種石墨盤 發(fā)明專利 CN201711063370.X CN107587118A 2018-01-16
    7 一種電鍍滾筒 發(fā)明專利 CN201510410911.6 CN105063730B 2017-04-19
    8 一種厚膜高阻氮化物半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)及其生長方法 發(fā)明專利 CN201310673040.8 CN103633134B 2016-09-14
    9 一種在陶瓷基板上利用激光加工導(dǎo)電通道的方法 發(fā)明專利 CN201410626931.2 CN104439724B 2016-06-29
    10 一種提高氮化鎵基電流擴(kuò)展的外延結(jié)構(gòu)及其生長方法 發(fā)明專利 CN201310340263.2 CN103400914B 2016-06-29

    軟件著作權(quán)0

    暫無信息 暫無軟件著作權(quán)

    作品著作權(quán)0

    暫無信息 暫無作品著作權(quán)

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