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    • 華潤華晶

    無錫華潤華晶微電子有限公司

    存續(xù)
    • 地址：無錫太湖國際科技園菱湖大道180號-6
    • 簡介：-
    • 商標信息 3
    • 專利信息 226
    • 軟件著作權(quán) 0
    • 作品著作權(quán) 0
    • 網(wǎng)站備案 0

    商標信息3

    序號 商標名稱 國際分類 注冊號 狀態(tài) 申請日期 操作
    1 圖形 09類-科學儀器 555831 商標已注冊 1990-06-09 查看
    2 飛電 09類-科學儀器 142540 商標已注冊 1980-04-24 查看
    3 華晶 09類-科學儀器 131247 等待實質(zhì)審查 1978-11-30 查看

    專利信息226

    序號 專利名稱 專利類型 申請?zhí)?/th> 公開（公告）號 公布日期
    1 一種超結(jié)MOS器件 發(fā)明專利 CN202110428258.1 CN113224164A 2021-08-06
    2 具有氮化硅阻擋層的SGT器件及制備方法 發(fā)明專利 CN202110477496.1 CN113224148A 2021-08-06
    3 晶圓貼膜方法及治具 發(fā)明專利 CN201710630622.6 CN109309026B 2021-03-23
    4 半導體封裝結(jié)構(gòu) 發(fā)明專利 2019106597659 CN112259516A 2021-01-22
    5 VDMOS晶體管及制作VDMOS晶體管的方法 發(fā)明專利 CN201710646818.4 CN109326642B 2020-12-29
    6 瞬態(tài)電壓抑制二極管結(jié)構(gòu)及其制作方法 發(fā)明專利 CN201910491591.X CN112054050A 2020-12-08
    7 溝槽MOSFET和溝槽MOSFET的制造方法 發(fā)明專利 CN201811607412.6 CN111384168A 2020-07-07
    8 脫模力測試裝置及其測試方法 發(fā)明專利 CN201811641323.3 CN111380637A 2020-07-07
    9 結(jié)終端結(jié)構(gòu)及其制備方法 發(fā)明專利 CN201811557431.2 CN111341832A 2020-06-26
    10 一種改善動態(tài)特性的超結(jié)VDMOS器件 發(fā)明專利 2020100478358 CN111244180B 2020-06-05

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