微電子
商標(biāo)信息0
專利信息9
序號 | 專利名稱 | 專利類型 | 申請?zhí)?/th> | 公開(公告)號 | 公布日期 |
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1 | 一種基于TFET的主從觸發(fā)器 | 發(fā)明專利 | CN202111307187.6 | CN114050807A | 2022-02-15 |
2 | 一種改善RRAM隨機(jī)性的阻變存儲單元及其制備方法 | 發(fā)明專利 | CN202111131696.8 | CN113948637A | 2022-01-18 |
3 | 一種8T2R非易失SRAM單元電路 | 發(fā)明專利 | CN202111064230.0 | CN113921058A | 2022-01-11 |
4 | 一種在內(nèi)存中實現(xiàn)迭代式異或計算的8TSRAM電路結(jié)構(gòu) | 發(fā)明專利 | CN202111150160.0 | CN113921057A | 2022-01-11 |
5 | 一種14T抗輻照SRAM存儲單元電路 | 發(fā)明專利 | CN202111010201.6 | CN113764009A | 2021-12-07 |
6 | 一種用于DRAM非易失存內(nèi)計算的電路 | 發(fā)明專利 | CN202110846566.6 | CN113658628A | 2021-11-16 |
7 | 一種能區(qū)分阻態(tài)交叉的10T4R單元電路 | 發(fā)明專利 | CN202110845112.7 | CN113658627A | 2021-11-16 |
8 | 一種高速低功耗的雙尾電流動態(tài)比較器電路 | 發(fā)明專利 | CN202110943715.0 | CN113472327A | 2021-10-01 |
9 | 一種強(qiáng)鎖存結(jié)構(gòu)的D觸發(fā)器電路 | 發(fā)明專利 | CN202110921437.9 | CN113472323A | 2021-10-01 |
軟件著作權(quán)0
作品著作權(quán)0
網(wǎng)站備案1
序號 | 網(wǎng)站名 | 網(wǎng)址 | 備案號 | 主辦單位性質(zhì) | 審核日期 |
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1 | 合肥市微電子研究院 | www.hficc.cn | 皖I(lǐng)CP備2021017275號 | 企業(yè) | 2021-12-02 |
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