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    • 中谷光電

    江蘇中谷光電股份有限公司

    存續(xù)
    • 地址：南通蘇通科技產(chǎn)業(yè)園江廣路66號
    • 簡介：-
    • 商標(biāo)信息 3
    • 專利信息 8
    • 軟件著作權(quán) 0
    • 作品著作權(quán) 0
    • 網(wǎng)站備案 1

    商標(biāo)信息3

    序號 商標(biāo)名稱 國際分類 注冊號 狀態(tài) 申請日期 操作
    1 中谷光電 ZHONGGU OPTO-ELECTRONICS ZG 11類-燈具空調(diào) 9744149 商標(biāo)已注冊 2011-07-20 查看
    2 中谷光電 ZHONGGU OPTO-ELECTRONICS ZG 09類-科學(xué)儀器 9744035 商標(biāo)已注冊 2011-07-20 查看
    3 中谷 09類-科學(xué)儀器 8955544 商標(biāo)已注冊 2010-12-15 查看

    專利信息8

    序號 專利名稱 專利類型 申請?zhí)?/th> 公開（公告）號 公布日期
    1 提高量產(chǎn)MOCVD的氮化鎵LED波長的可重復(fù)性制造方法 發(fā)明專利 CN201811464391.7 CN109585614A 2019-04-05
    2 一種發(fā)光二極管外延片制備方法 發(fā)明專利 CN201811453957.6 CN109545920A 2019-03-29
    3 一種氮化鎵基發(fā)光二極管制備方法 發(fā)明專利 CN201811453886.X CN109326687A 2019-02-12
    4 用于Veeco K465i的清潔平臺及其清潔方法 發(fā)明專利 CN201811453909.7 CN109261660A 2019-01-25
    5 一種具有電極反射層的LED芯片及其制作方法 發(fā)明專利 CN201310304382.2 CN103390711B 2016-05-11
    6 一種具有電極反射層的 LED 芯片及其制作方法 發(fā)明專利 CN201310304382.2 CN103390711A 2016-05-11
    7 氮化鎵單晶非極性面襯底生長氮化鎵發(fā)光二極管的方法 發(fā)明專利 CN201310281021.0 CN103325895B 2016-04-20
    8 氮化鎵單晶非極性面襯底生長氮化鎵發(fā)光二極管的方法 發(fā)明專利 CN201310281021.0 CN103325895A 2016-04-20

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    作品著作權(quán)0

    暫無信息 暫無作品著作權(quán)

    網(wǎng)站備案1

    序號 網(wǎng)站名 網(wǎng)址 備案號 主辦單位性質(zhì) 審核日期
    1 江蘇中谷光電股份有限公司郵箱管理系統(tǒng) 112.2.27.247 蘇ICP備17041926號 企業(yè) 2018-11-30
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