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    • 南瑞聯(lián)研

    南瑞聯(lián)研半導(dǎo)體有限責(zé)任公司

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    • 地址：南京市江寧經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)誠(chéng)信大道19號(hào)2幢（江寧開(kāi)發(fā)區(qū)）
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    • 作品著作權(quán) 0
    • 網(wǎng)站備案 1

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    專利信息42

    序號(hào) 專利名稱 專利類型 申請(qǐng)?zhí)?/th> 公開(kāi)（公告）號(hào) 公布日期
    1 一種溝槽型SiCMOSFET器件及其制備方法 發(fā)明專利 CN202110726765.3 CN113488542A 2021-10-08
    2 一種IGBT溝槽柵排布結(jié)構(gòu) 實(shí)用新型 CN202023214251.X CN214012944U 2021-08-20
    3 一種用于IGBT模塊的焊接限位工裝 實(shí)用新型 CN202022348605.3 CN213998341U 2021-08-20
    4 一種用于功率模塊覆銅陶瓷襯板焊接的限位工裝 實(shí)用新型 CN202022365101.2 CN213998146U 2021-08-20
    5 一種大功率半導(dǎo)體器件及其制備方法 發(fā)明專利 CN202110280013.9 CN113140617A 2021-07-20
    6 一種半導(dǎo)體模塊結(jié)構(gòu) 發(fā)明專利 CN202110348467.5 CN113140524A 2021-07-20
    7 一種半導(dǎo)體模塊 發(fā)明專利 CN202110410365.1 CN113013147A 2021-06-22
    8 一種多芯片并聯(lián)的半橋型IGBT模塊 實(shí)用新型 CN202022429352.2 CN213459734U 2021-06-15
    9 一種用于高壓焊接式IGBT器件內(nèi)部襯板的絕緣結(jié)構(gòu) 實(shí)用新型 CN202022506549.1 CN213459728U 2021-06-15
    10 一種用于焊接式IGBT器件的銅基板凸臺(tái)式結(jié)構(gòu) 實(shí)用新型 CN202022409327.8 CN213459704U 2021-06-15

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    暫無(wú)信息 暫無(wú)軟件著作權(quán)

    作品著作權(quán)0

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