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  • 工研院

    昆山工研院第三代半導(dǎo)體研究院有限公司

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    • 地址:昆山市玉山鎮(zhèn)祖沖之南路1699號(hào)綜合樓北樓8樓802室
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    專利信息14

    序號(hào) 專利名稱 專利類型 申請(qǐng)?zhí)?/th> 公開(公告)號(hào) 公布日期
    1 一種半導(dǎo)體芯片的封裝結(jié)構(gòu) 發(fā)明專利 CN201610301601.5 CN106910725B 2019-11-05
    2 高電子遷移率晶體管器件及其制造方法 發(fā)明專利 CN201610632720.9 CN106298882B 2019-10-08
    3 一種半導(dǎo)體器件及其制造方法 發(fā)明專利 CN201510999747.7 CN105895667B 2019-07-23
    4 一種半導(dǎo)體器件及其制備方法 發(fā)明專利 CN201510278650.7 CN105321993B 2019-03-29
    5 一種半導(dǎo)體芯片的封裝結(jié)構(gòu) 發(fā)明專利 CN201610301601.5 CN106910725A 2017-06-30
    6 高電子遷移率晶體管器件及其制造方法 發(fā)明專利 CN201610632720.9 CN106298882A 2017-01-04
    7 一種半導(dǎo)體器件及其制造方法 發(fā)明專利 CN201510999747.7 CN105895667A 2016-08-24
    8 一種GaN基半導(dǎo)體器件歐姆接觸高壓可靠性的檢測(cè)方法 發(fā)明專利 CN201410005195.9 CN103713252B 2016-06-01
    9 一種半導(dǎo)體器件及其制備方法 發(fā)明專利 CN201510278650.7 CN105321993A 2016-02-10
    10 一種T型柵HEMT器件及其制作方法 發(fā)明專利 CN201110340553.8 CN102361010B 2015-06-10

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