工研院
昆山工研院第三代半導(dǎo)體研究院有限公司
存續(xù)商標(biāo)信息0
專利信息14
序號(hào) | 專利名稱 | 專利類型 | 申請(qǐng)?zhí)?/th> | 公開(公告)號(hào) | 公布日期 |
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1 | 一種半導(dǎo)體芯片的封裝結(jié)構(gòu) | 發(fā)明專利 | CN201610301601.5 | CN106910725B | 2019-11-05 |
2 | 高電子遷移率晶體管器件及其制造方法 | 發(fā)明專利 | CN201610632720.9 | CN106298882B | 2019-10-08 |
3 | 一種半導(dǎo)體器件及其制造方法 | 發(fā)明專利 | CN201510999747.7 | CN105895667B | 2019-07-23 |
4 | 一種半導(dǎo)體器件及其制備方法 | 發(fā)明專利 | CN201510278650.7 | CN105321993B | 2019-03-29 |
5 | 一種半導(dǎo)體芯片的封裝結(jié)構(gòu) | 發(fā)明專利 | CN201610301601.5 | CN106910725A | 2017-06-30 |
6 | 高電子遷移率晶體管器件及其制造方法 | 發(fā)明專利 | CN201610632720.9 | CN106298882A | 2017-01-04 |
7 | 一種半導(dǎo)體器件及其制造方法 | 發(fā)明專利 | CN201510999747.7 | CN105895667A | 2016-08-24 |
8 | 一種GaN基半導(dǎo)體器件歐姆接觸高壓可靠性的檢測(cè)方法 | 發(fā)明專利 | CN201410005195.9 | CN103713252B | 2016-06-01 |
9 | 一種半導(dǎo)體器件及其制備方法 | 發(fā)明專利 | CN201510278650.7 | CN105321993A | 2016-02-10 |
10 | 一種T型柵HEMT器件及其制作方法 | 發(fā)明專利 | CN201110340553.8 | CN102361010B | 2015-06-10 |
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