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    • 環(huán)鑫科技

    TCL環(huán)鑫半導體（天津）有限公司

    存續(xù)
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    • 地址：天津市華苑產業(yè)區(qū)（環(huán)外）海泰東路12號A座二層
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    • 專利信息 141
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    專利信息141

    序號 專利名稱 專利類型 申請?zhí)?/th> 公開（公告）號 公布日期
    1 一種片上變壓器及其制作工藝 發(fā)明專利 CN202110873025.2 CN113517111A 2021-10-19
    2 一種溝槽式肖特基正面銀表面金屬結構的制造方法 發(fā)明專利 CN201710669358.7 CN109390231B 2021-10-08
    3 一種GPP玻鈍工藝方法 發(fā)明專利 CN201710615708.1 CN109309018B 2021-10-08
    4 一種單向TVS芯片玻鈍前二次擴散工藝 發(fā)明專利 CN201711057754.0 CN109755112B 2021-09-07
    5 一種硅片玻鈍前液態(tài)源擴散工藝 發(fā)明專利 CN201710615672.7 CN109309142B 2021-09-07
    6 一種調節(jié)擴散氣氛的一次擴散工藝 發(fā)明專利 CN201711057793.0 CN109755113B 2021-08-10
    7 一種調節(jié)擴散氣氛的一次擴散工藝 發(fā)明專利 CN201711057793.0 CN109755113A 2021-08-10
    8 一種硅片激光與堿液結合制絨工藝 發(fā)明專利 CN201711059127.0 CN109755102B 2021-08-10
    9 一種硅片激光與酸液結合制絨工藝 發(fā)明專利 CN201711057483.9 CN109755098B 2021-08-10
    10 一種硅片鍍鎳銀的工藝 發(fā)明專利 CN201710615643.0 CN109306481B 2021-08-10

    軟件著作權0

    暫無信息 暫無軟件著作權

    作品著作權0

    暫無信息 暫無作品著作權

    網站備案0

    暫無信息 暫無網站備案
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