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    • 龍騰

    龍騰半導體股份有限公司

    開業(yè)
    • 地址：陜西省西安市經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)鳳城十二路1號西安關中綜合保稅區(qū)A區(qū)
    • 簡介：-
    • 商標信息 1
    • 專利信息 137
    • 軟件著作權 0
    • 作品著作權 0
    • 網(wǎng)站備案 5

    商標信息1

    序號 商標名稱 國際分類 注冊號 狀態(tài) 申請日期 操作
    1 LONTEN 09類-科學儀器 8622711 商標已注冊 2010-08-30 查看

    專利信息137

    序號 專利名稱 專利類型 申請?zhí)?/th> 公開（公告）號 公布日期
    1 溝槽型MOSFET器件 發(fā)明專利 CN202010875611.6 CN114122130A 2022-03-01
    2 溝槽型MOSFET器件及其制備方法 發(fā)明專利 CN202010875588.0 CN114122129A 2022-03-01
    3 一種用于測試功率器件的共源電感的測試電路及測試方法 發(fā)明專利 CN202111236295.9 CN114002572A 2022-02-01
    4 高頻LLC中同步整流的電流檢測電路、檢測方法及控制方法 發(fā)明專利 CN202111094177.9 CN113804945A 2021-12-17
    5 ONO屏蔽柵的SGT結構及其制造方法 發(fā)明專利 CN202110055819.8 CN112382572B 2021-11-02
    6 超結MOSFET結構及其制造方法 發(fā)明專利 CN201811187899.7 CN109494246B 2021-11-02
    7 一種基于臨界導通模式的軟開關實現(xiàn)及自適應控制方法 發(fā)明專利 CN202010982777.8 CN112134443B 2021-09-07
    8 基于元胞結構的溝槽型肖特基二極管器件結構及制造方法 發(fā)明專利 CN202110448706.4 CN113054039A 2021-06-29
    9 電荷平衡溝槽超勢壘整流器及其制造方法 發(fā)明專利 CN202011361521.1 CN112510079A 2021-03-16
    10 改善柵極氧化層質量的屏蔽柵溝槽MOSFET制造方法 發(fā)明專利 CN201810062556.1 CN108364870B 2021-03-02

    軟件著作權0

    暫無信息 暫無軟件著作權

    作品著作權0

    暫無信息 暫無作品著作權

    網(wǎng)站備案5

    序號 網(wǎng)站名 網(wǎng)址 備案號 主辦單位性質 審核日期
    1 龍騰半導體股份有限公司 www.lonten.cc 陜ICP備10001744號 企業(yè) 2021-11-12
    2 龍騰半導體股份有限公司 www.lonten.cc 陜ICP備10001744號 企業(yè) 2021-05-07
    3 龍騰半導體股份有限公司 www.lonten.cc 陜ICP備10001744號 企業(yè) 2021-05-07
    4 西安龍騰新能源科技發(fā)展有限公司 www.lonten.cc 陜ICP備10001744號 企業(yè) 2016-10-31
    5 西安龍騰新能源科技發(fā)展有限公司 www.lonten.cc 陜ICP備10001744號 企業(yè) 2016-10-31
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