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    • 中微晶園

    無錫中微晶園電子有限公司

    存續(xù)
    • 地址：無錫市新區(qū)信息產(chǎn)業(yè)科技園A座二層203室
    • 簡介：-
    • 商標信息 1
    • 專利信息 89
    • 軟件著作權(quán) 0
    • 作品著作權(quán) 0
    • 網(wǎng)站備案 1

    商標信息1

    序號 商標名稱 國際分類 注冊號 狀態(tài) 申請日期 操作
    1 KI 09類-科學(xué)儀器 5279101 商標已注冊 2006-04-11 查看

    專利信息89

    序號 專利名稱 專利類型 申請?zhí)?/th> 公開（公告）號 公布日期
    1 能克服多晶高溫后腐蝕殘留的方法 發(fā)明專利 CN202110769331.1 CN113471065A 2021-10-01
    2 具有高Q值的聲表面波諧振器及其制備方法 發(fā)明專利 CN202110769326.0 CN113346859A 2021-09-03
    3 硅片墊片用于雪崩二極管降噪的封裝方法 發(fā)明專利 CN201910871850.1 CN110534439B 2021-08-06
    4 硅片墊片用于雪崩二極管降噪的封裝方法 發(fā)明專利 CN201910871850.1 CN110534439A 2021-08-06
    5 一種光電探測產(chǎn)品鍵合涂絲工藝 發(fā)明專利 CN201910871848.4 CN110571307B 2021-06-01
    6 一種光電探測產(chǎn)品鍵合涂絲工藝 發(fā)明專利 CN201910871848.4 CN110571307A 2021-06-01
    7 一種高精度多晶低阻的工藝制造技術(shù) 發(fā)明專利 CN202011603194.6 CN112707366A 2021-04-27
    8 紅外增強型硅基光電探測器 發(fā)明專利 CN202011395096.8 CN112582495A 2021-03-30
    9 一種雪崩光電二極管的制造方法 發(fā)明專利 CN202011190083.7 CN112289882A 2021-01-29
    10 硅片墊片用于雪崩二極管降噪的封裝方法 發(fā)明專利 CN201910871850.1 CN110534439A 2019-12-03

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    作品著作權(quán)0

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    網(wǎng)站備案1

    序號 網(wǎng)站名 網(wǎng)址 備案號 主辦單位性質(zhì) 審核日期
    1 無錫中微晶園電子有限公司 www.jysmc.net 蘇ICP備19038498號 企業(yè) 2019-07-22
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