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    • 蓉矽

    成都蓉矽半導(dǎo)體有限公司

    存續(xù)
    • 地址：中國（四川）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)成都高新區(qū)天府大道中段1366號2棟9樓12-18號
    • 簡介：-
    • 商標(biāo)信息 15
    • 專利信息 34
    • 軟件著作權(quán) 0
    • 作品著作權(quán) 0
    • 網(wǎng)站備案 2

    商標(biāo)信息15

    序號 商標(biāo)名稱 國際分類 注冊號 狀態(tài) 申請日期 操作
    1 DURASIC 09類-科學(xué)儀器 54131001 商標(biāo)已注冊 2021-03-08 查看
    2 NOVUPOWER 09類-科學(xué)儀器 54130953 初審公告 2021-03-08 查看
    3 MCR 09類-科學(xué)儀器 54107158 初審公告 2021-03-08 查看
    4 NOVUSEM 35類-廣告銷售 47660719 商標(biāo)已注冊 2020-06-29 查看
    5 NOVUSIC 09類-科學(xué)儀器 47656126 商標(biāo)已注冊 2020-06-29 查看
    6 NOVUSIC 42類-網(wǎng)站服務(wù) 47651967 商標(biāo)已注冊 2020-06-29 查看
    7 圖形 42類-網(wǎng)站服務(wù) 47651033 商標(biāo)已注冊 2020-06-29 查看
    8 圖形 09類-科學(xué)儀器 47649833 商標(biāo)已注冊 2020-06-29 查看
    9 圖形 35類-廣告銷售 47644894 商標(biāo)已注冊 2020-06-29 查看
    10 蓉矽 35類-廣告銷售 47644886 商標(biāo)已注冊 2020-06-29 查看

    專利信息34

    序號 專利名稱 專利類型 申請?zhí)?/th> 公開（公告）號 公布日期
    1 高抗浪涌電流能力的集成柵控二極管的碳化硅MOSFET 發(fā)明專利 CN202210441140.7 CN114551601B 2022-07-15
    2 集成柵控二極管的碳化硅分離柵MOSFET元胞及制備方法 發(fā)明專利 CN202210451101.5 CN114551586B 2022-07-12
    3 一種高抗浪涌電流能力的柵控二極管 發(fā)明專利 CN202210441706.6 CN114551576B 2022-07-01
    4 一種集成柵控二極管的碳化硅MOSFET元胞版圖結(jié)構(gòu) 發(fā)明專利 CN202210525778.9 CN114628497A 2022-06-14
    5 高抗浪涌電流能力的集成柵控二極管的碳化硅MOSFET 發(fā)明專利 CN202210441140.7 CN114551601A 2022-05-27
    6 集成柵控二極管的碳化硅分離柵MOSFET元胞及制備方法 發(fā)明專利 CN202210451101.5 CN114551586A 2022-05-27
    7 一種高抗浪涌電流能力的柵控二極管 發(fā)明專利 CN202210441706.6 CN114551576A 2022-05-27
    8 集成高速續(xù)流二極管的碳化硅分離柵MOSFET及制備方法 發(fā)明專利 CN202210090837.4 CN114122123B 2022-04-22
    9 集成高速續(xù)流二極管的碳化硅分離柵MOSFET及制備方法 發(fā)明專利 CN202210090837.4 CN114122123A 2022-03-01
    10 柵控二極管整流器 發(fā)明專利 CN202111389575.3 CN113823679A 2021-12-21

    軟件著作權(quán)0

    暫無信息 暫無軟件著作權(quán)

    作品著作權(quán)0

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    網(wǎng)站備案2

    序號 網(wǎng)站名 網(wǎng)址 備案號 主辦單位性質(zhì) 審核日期
    1 - www.novusem.com 蜀ICP備20024444號 企業(yè) 2022-01-12
    2 蓉矽半導(dǎo)體公司官網(wǎng) www.novusem.com 蜀ICP備20024444號 企業(yè) 2020-08-10
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