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    • 三安

    廈門(mén)市三安集成電路有限公司

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    專利信息430

    序號(hào) 專利名稱 專利類型 申請(qǐng)?zhí)?/th> 公開(kāi)（公告）號(hào) 公布日期
    1 一種USB可調(diào)快充電路 實(shí)用新型 CN202220548837.X CN216904375U 2022-07-05
    2 內(nèi)嵌電阻的射頻開(kāi)關(guān)器件版圖結(jié)構(gòu)和射頻開(kāi)關(guān)器件 發(fā)明專利 CN202210435151.4 CN114692556A 2022-07-01
    3 一種半導(dǎo)體切筋成型設(shè)備 發(fā)明專利 CN202011174263.6 CN112547990B 2022-06-28
    4 一種制作增強(qiáng)型氮化鎵功率器件的方法 發(fā)明專利 CN202010175224.1 CN111653478B 2022-06-28
    5 一種TC-SAW之IDT銅工藝制造方法 發(fā)明專利 CN201810558981.X CN108768334B 2022-06-28
    6 一種垂直腔面發(fā)射激光器結(jié)構(gòu) 實(shí)用新型 CN202122923021.9 CN216750641U 2022-06-14
    7 一種晶圓載具及外延生長(zhǎng)設(shè)備 實(shí)用新型 CN202122949424.0 CN216749857U 2022-06-14
    8 一種SiC晶圓載具及外延生長(zhǎng)設(shè)備 實(shí)用新型 CN202122948030.3 CN216749856U 2022-06-14
    9 一種晶圓載盤(pán)結(jié)構(gòu)及外延生長(zhǎng)設(shè)備 實(shí)用新型 CN202122941653.8 CN216749855U 2022-06-14
    10 一種SiC襯底雙面生長(zhǎng)SiC外延層的方法及應(yīng)用 發(fā)明專利 CN202010356535.8 CN112038213B 2022-06-14

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