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  • 中材人工

    中材人工晶體研究院有限公司

    存續(xù)
    • 地址:北京市朝陽區(qū)東壩紅松園1號(hào)
    • 簡介:-
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    • 專利信息 23
    • 軟件著作權(quán) 0
    • 作品著作權(quán) 0
    • 網(wǎng)站備案 3

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    專利信息23

    序號(hào) 專利名稱 專利類型 申請(qǐng)?zhí)?/th> 公開(公告)號(hào) 公布日期
    1 一種ZnS基底長波紅外增透保護(hù)膜及其制備方法 發(fā)明專利 CN202011460832.3 CN112698430A 2021-04-23
    2 一種用于制備光學(xué)ZnS材料的CVD設(shè)備 發(fā)明專利 CN202011460588.0 CN112663024A 2021-04-16
    3 一種光學(xué)ZnS材料及其制備方法 發(fā)明專利 CN202011457261.8 CN112626488A 2021-04-09
    4 一種大角度中長波紅外增透保護(hù)膜及其制備方法 發(fā)明專利 CN202011457256.7 CN112578481A 2021-03-30
    5 一種鈰離子摻雜釓鎵鋁石榴石閃爍晶體生長的裝置及工藝 發(fā)明專利 CN201910757109.2 CN112391679A 2021-02-23
    6 一種連續(xù)沉積金剛石薄膜設(shè)備 實(shí)用新型 CN202020739466.4 CN212293743U 2021-01-05
    7 一種摻硼金剛石薄膜制備方法 發(fā)明專利 CN202010380094.5 CN111549331A 2020-08-18
    8 一種連續(xù)沉積金剛石薄膜的方法及其設(shè)備 發(fā)明專利 CN202010380075.2 CN111549330A 2020-08-18
    9 陶瓷絕緣子(四) 外觀專利 CN201930180059.7 CN305380999S 2019-10-11
    10 一種溴化鑭閃爍晶體的生長方法及所得晶體 發(fā)明專利 CN201710494746.6 CN107287657B 2019-10-08

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    作品著作權(quán)0

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    網(wǎng)站備案3

    序號(hào) 網(wǎng)站名 網(wǎng)址 備案號(hào) 主辦單位性質(zhì) 審核日期
    1 中材人工晶體研究院有限公司 www.risc.com.cn 京ICP備20015470號(hào) 企業(yè) 2021-06-22
    2 中材人工晶體研究院有限公司 www.risc.cn 京ICP備20015470號(hào) 企業(yè) 2021-06-22
    3 中材人工晶體研究院有限公司 www.jtxb.cn 京ICP備20015470號(hào) 企業(yè) 2020-12-28
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