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    • 正芯

    湖南正芯微電子探測器有限公司

    存續(xù)
    • 官網(wǎng)：-
    • 地址：湖南省湘潭市高新區(qū)雙擁路9號創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)園C區(qū)10棟4樓
    • 簡介：-
    • 商標(biāo)信息 1
    • 專利信息 19
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    • 作品著作權(quán) 0
    • 網(wǎng)站備案 0

    商標(biāo)信息1

    序號 商標(biāo)名稱 國際分類 注冊號 狀態(tài) 申請日期 操作
    1 ZXMD 09類-科學(xué)儀器 21089129 商標(biāo)已注冊 2016-08-24 查看

    專利信息19

    序號 專利名稱 專利類型 申請?zhí)?/th> 公開（公告）號 公布日期
    1 硅漂移探測器與放大器的制冷封裝結(jié)構(gòu) 發(fā)明專利 CN202110616625.0 CN113192944A 2021-07-30
    2 一種硅漂移探測器與結(jié)型場效應(yīng)晶體管集成的芯片 實用新型 CN202022218636.7 CN213093204U 2021-04-30
    3 一種扇形交替式硅像素探測器 實用新型 CN202021472865.5 CN212542438U 2021-02-12
    4 一種單面陰極為螺旋環(huán)結(jié)構(gòu)的硅像素探測器及其陣列 實用新型 CN202021476273.0 CN212517206U 2021-02-09
    5 一種多像素超小電容X射線探測單元及探測器 實用新型 CN202021694270.4 CN212380427U 2021-01-19
    6 一種硅漂移探測器與金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管集成器件 實用新型 CN202022222153.4 CN212342629U 2021-01-12
    7 一種梳狀硅像素探測單元及梳狀硅像素探測器 實用新型 CN202021495440.6 CN212323002U 2021-01-08
    8 一種硅漂移探測器與金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管集成器件 發(fā)明專利 CN202011065727.X CN112071874A 2020-12-11
    9 一種硅漂移探測器與結(jié)型場效應(yīng)晶體管集成芯片及制作方法 發(fā)明專利 CN202011062072.0 CN112071873A 2020-12-11
    10 一種多像素超小電容X射線探測單元及探測器 發(fā)明專利 CN202010817122.5 CN111969069A 2020-11-20

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