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    • 東微

    蘇州東微半導體股份有限公司

    存續(xù)
    • 地址：蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號蘇州納米城西北區(qū)20幢515室
    • 簡介：-
    • 商標信息 28
    • 專利信息 154
    • 軟件著作權 0
    • 作品著作權 0
    • 網(wǎng)站備案 3

    商標信息28

    序號 商標名稱 國際分類 注冊號 狀態(tài) 申請日期 操作
    1 SUPER-SI2C - 62125661 等待實質(zhì)審查 2022-01-13 查看
    2 超級硅 09類-科學儀器 57507576 等待實質(zhì)審查 2021-07-07 查看
    3 HYBRID FET 09類-科學儀器 57480526 商標已注冊 2021-07-06 查看
    4 ORIENTAL SEMI 09類-科學儀器 48536604 商標已注冊 2020-07-30 查看
    5 東微半導體 ORIENTAL SEMI 09類-科學儀器 48519359 商標已注冊 2020-07-30 查看
    6 東微半導體 09類-科學儀器 48513937 商標已注冊 2020-07-30 查看
    7 圖形 09類-科學儀器 44555830 等待實質(zhì)審查 2020-03-12 查看
    8 TGBT 09類-科學儀器 40105138 商標無效 2019-08-02 查看
    9 圖形 09類-科學儀器 36288047 商標已注冊 2019-02-01 查看
    10 圖形 09類-科學儀器 25439279 商標無效 2017-07-20 查看

    專利信息154

    序號 專利名稱 專利類型 申請?zhí)?/th> 公開（公告）號 公布日期
    1 半導體超結器件的制造方法 發(fā)明專利 CN202010372375.6 CN113628969B 2022-06-24
    2 半導體超結器件的制造方法 發(fā)明專利 CN202010372375.6 CN113628969A 2022-06-24
    3 半導體超結器件的制造方法 發(fā)明專利 CN202010372056.5 CN113628968B 2022-06-24
    4 半導體超結器件的制造方法 發(fā)明專利 CN202010372056.5 CN113628968A 2022-06-24
    5 半導體裝置 發(fā)明專利 CN202011360254.6 CN114566477A 2022-05-31
    6 IGBT器件 發(fā)明專利 CN201980091300.6 CN113748520B 2022-05-31
    7 半導體器件 發(fā)明專利 CN202011281570.4 CN114512532A 2022-05-17
    8 碳化硅器件 發(fā)明專利 CN202011280134.5 CN114512531A 2022-05-17
    9 半導體器件的制造方法 發(fā)明專利 CN202011280137.9 CN114512403A 2022-05-17
    10 一種半導體存儲器 發(fā)明專利 CN201811130401.3 CN110957324B 2022-05-17

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    作品著作權0

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    網(wǎng)站備案3

    序號 網(wǎng)站名 網(wǎng)址 備案號 主辦單位性質(zhì) 審核日期
    1 蘇州東微半導體股份有限公司 www.orientalsemi.com 蘇ICP備18022065號 企業(yè) 2021-02-01
    2 蘇州東微半導體股份有限公司 www.orientalsemi.com 蘇ICP備18022065號 企業(yè) 2021-02-01
    3 - www.orientalsemi.com 蘇ICP備18022065號 企業(yè) 2021-02-01
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