中芯國際
中芯國際集成電路制造(深圳)有限公司
存續(xù)商標(biāo)信息0
專利信息22
序號 | 專利名稱 | 專利類型 | 申請?zhí)?/th> | 公開(公告)號 | 公布日期 |
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1 | 清潔設(shè)備 | 發(fā)明專利 | CN202010492589.7 | CN113751384A | 2021-12-07 |
2 | 半導(dǎo)體器件及其形成方法 | 發(fā)明專利 | CN202010415443.2 | CN113675091A | 2021-11-19 |
3 | 非易失性存儲器及其工作方法 | 發(fā)明專利 | CN202010272470.9 | CN113517013A | 2021-10-19 |
4 | 半導(dǎo)體器件及其形成方法 | 發(fā)明專利 | CN202010190883.2 | CN113496948A | 2021-10-12 |
5 | 半導(dǎo)體器件的形成方法 | 發(fā)明專利 | CN202010253527.0 | CN113496942A | 2021-10-12 |
6 | MRAM器件及其形成方法 | 發(fā)明專利 | CN202010235486.2 | CN113471245A | 2021-10-01 |
7 | MRAM器件的形成方法 | 發(fā)明專利 | CN202010223192.8 | CN113451353A | 2021-09-28 |
8 | 電熔絲結(jié)構(gòu)及其形成方法 | 發(fā)明專利 | CN202010211812.6 | CN113451263A | 2021-09-28 |
9 | 一種互連結(jié)構(gòu)的形成方法 | 發(fā)明專利 | CN202010149002.2 | CN113363204A | 2021-09-07 |
10 | 半導(dǎo)體器件的形成方法 | 發(fā)明專利 | CN202010149007.5 | CN113363149A | 2021-09-07 |
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